接面場效晶體管英文解釋翻譯、接面場效晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 junction field effect transistor

分詞翻譯：

接的英語翻譯：

receive; accept
【電】 connecting

面的英語翻譯：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

場效晶體管的英語翻譯：

【電】 field-effect transistor

專業解析

接面場效晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）是一種利用電場效應控制電流的單極型半導體器件，其核心工作原理是通過調節栅極與溝道之間的耗盡層寬度來改變導電通道的電阻。與雙極型晶體管不同，JFET僅依賴多數載流子（電子或空穴）進行導電，因此具有輸入阻抗高、噪聲低的特點。

從結構上看，JFET由摻雜半導體材料構成，主要分為N溝道和P溝道兩種類型。以N溝道JFET為例，其包含三個電極：源極（Source）、漏極（Drain）和栅極（Gate）。栅極與溝道之間通過反向偏置的PN結形成耗盡區，當栅極電壓（$V_{GS}$）變化時，耗盡區寬度隨之改變，從而控制漏極電流（$I_D$）的導通程度。這一特性可用公式描述為：

ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right)

其中$I{DSS}$是飽和漏電流，$V_P$為夾斷電壓。

JFET廣泛應用于模拟電路領域，例如高阻抗輸入放大器、壓控電阻和低頻噪聲敏感電路。其優勢在于線性度優于MOSFET，且抗輻射能力較強。不過，由于制造工藝限制，JFET的集成度通常低于現代CMOS器件。

參考來源：

《微電子電路》（第7版），Adel S. Sedra與Kenneth C. Smith著，Oxford University Press
IEEE Transactions on Electron Devices期刊論文《JFET特性分析》

網絡擴展解釋

接面場效晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是場效應晶體管（FET）的一種類型，其核心結構基于PN結的電場效應控制電流。以下是詳細解釋：

1.基本定義與分類

JFET屬于單極型晶體管（僅由多數載流子導電），通過栅極電壓調節導電溝道的寬度，從而控制漏極-源極電流。根據導電溝道的材料，JFET可分為：

N溝道JFET：以N型半導體為導電溝道；
P溝道JFET：以P型半導體為導電溝道。

2.結構特點

三個電極：栅極（G）、源極（S）、漏極（D）。栅極與導電溝道之間通過PN結隔離。
工作原理：當栅極施加反向偏置電壓時，PN結的耗盡層會擴展，縮小導電溝道的截面積，最終控制電流大小。這種電壓控制方式無需栅極電流，因此輸入阻抗極高（可達10⁸~10⁹Ω）。

3.核心優勢

低噪聲與低功耗：由于僅多數載流子參與導電，避免了雙極型晶體管中載流子複合産生的噪聲；
熱穩定性好：無二次擊穿現象，適合高溫或大功率波動環境；
簡單驅動：電壓控制特性使其驅動電路設計更簡單。

4.應用場景

JFET常用于以下領域：

模拟信號放大：如高保真音頻放大器；
開關電路：利用其快速開關特性；
高阻抗輸入級：如測試儀器中的前置放大器。

5.與其他FET的對比

與MOSFET的區别：JFET通過PN結控制溝道，而MOSFET依賴絕緣栅極的電場效應（如二氧化矽層）。因此，JFET的輸入阻抗更高，但集成度較低。
適用功率範圍：JFET通常用于中小功率（10kW以下），而功率MOSFET適合更高功率場景。

如需進一步了解JFET的具體參數或電路設計，可參考電子工程教材或半導體器件手冊。