接触电位降英文解释翻译、接触电位降的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 contact ir drop

分词翻译：

接触的英语翻译：

contact; contiguity; get in touch with; meet; osculate; osculation; tangency
touch
【医】 c.; contact; contiguity; hapt-; hapto-; per contiguum; taction; tactus
touch

电位降的英语翻译：

【计】 potential fall

专业解析

接触电位降（Contact Potential Drop）

定义

接触电位降（英文：Contact Potential Drop）指两种不同导体或半导体材料接触时，因费米能级差异导致界面处产生的电势差。该现象由电子从高费米能级材料向低费米能级材料扩散形成，直至达到热平衡状态，此时界面两侧形成稳定的电势差。

物理机制

费米能级平衡：当两种材料接触时，电子从费米能级较高的材料流向较低的材料，直至两侧费米能级对齐。
内建电场形成：电子转移导致界面处正负电荷分离，形成内建电场，阻碍电子进一步扩散，最终达到动态平衡。
电势差计算：接触电位降（( V_c )）可表示为：
$$

V_c = frac{phi_1 - phi_2}{e}

$$

其中 (phi_1) 和 (phi_2) 为两种材料的功函数，(e) 为电子电荷。

典型应用场景

半导体器件：PN结中的接触电位降是二极管单向导电性的基础。
热电偶：不同金属接触产生的电位差用于温度测量。
金属-半导体接触：肖特基势垒的形成依赖于接触电位降。

权威参考来源

《电子学基础》（清华大学出版社）：第5章详细分析了接触电位降在半导体器件中的作用机制（来源：清华大学出版社教材）。
国际电工委员会（IEC）标准 60050-121：明确定义接触电位降为"不同材料接触界面因功函数差异产生的电势差"（来源：IEC国际标准术语库）。
IEEE电气与电子术语标准词典：将"Contact Potential"描述为"两种材料间因费米能级对齐形成的静电电位差"（来源：IEEE标准辞典）。

示例说明

铜（功函数约4.7 eV）与铝（功函数约4.1 eV）接触时，电子从铝流向铜，界面处形成约0.6 V的接触电位降，铝侧带正电，铜侧带负电。

网络扩展解释

接触电位降是指两种不同材料或物体接触时，因电荷重新分配、材料特性差异或测量干扰等因素，在接触界面处产生的电势差或电位下降现象。以下是具体解释：

1.电荷转移效应

当两个不同电位的物体接触时，电荷会从高电位物体流向低电位物体，直至达到平衡。例如，带正电的物体接触测量仪表时，部分正电荷转移到仪表上，导致物体实际电位降低。这种电荷转移是接触电位降的核心原因之一。

2.材料特性差异

导体：接触时会引入附加电容（如仪表探头的电容），总电容增加。根据公式
$$
V = frac{Q}{C_{text{总}}}
$$
电荷量不变时，电容增大导致电压下降，测量值小于真实值。
绝缘体：电荷分布不均，接触式仪表只能测量局部电位，无法反映整体电位，可能造成偏差。

3.测量仪器的局限性

输入阻抗影响：尽管仪表阻抗较高（如10¹²Ω），但微小电荷流失仍可能形成电流（I=V/R），导致被测物体电荷量减少，电压显著下降。
表面电势差异：不同物质相界面存在表面电势（不定值），无法直接测量绝对电位，只能通过接触点间的电位差间接反映。

接触电位降是电接触中不可避免的现象，涉及电荷平衡、材料电容/阻抗特性及测量干扰的综合作用。在工程实践中，需采用非接触式测量（如静电计）或修正模型来减少误差。