接觸電位降英文解釋翻譯、接觸電位降的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 contact ir drop

分詞翻譯：

接觸的英語翻譯：

contact; contiguity; get in touch with; meet; osculate; osculation; tangency
touch
【醫】 c.; contact; contiguity; hapt-; hapto-; per contiguum; taction; tactus
touch

電位降的英語翻譯：

【計】 potential fall

專業解析

接觸電位降（Contact Potential Drop）

定義

接觸電位降（英文：Contact Potential Drop）指兩種不同導體或半導體材料接觸時，因費米能級差異導緻界面處産生的電勢差。該現象由電子從高費米能級材料向低費米能級材料擴散形成，直至達到熱平衡狀态，此時界面兩側形成穩定的電勢差。

物理機制

費米能級平衡：當兩種材料接觸時，電子從費米能級較高的材料流向較低的材料，直至兩側費米能級對齊。
内建電場形成：電子轉移導緻界面處正負電荷分離，形成内建電場，阻礙電子進一步擴散，最終達到動态平衡。
電勢差計算：接觸電位降（( V_c )）可表示為：
$$

V_c = frac{phi_1 - phi_2}{e}

$$

其中 (phi_1) 和 (phi_2) 為兩種材料的功函數，(e) 為電子電荷。

典型應用場景

半導體器件：PN結中的接觸電位降是二極管單向導電性的基礎。
熱電偶：不同金屬接觸産生的電位差用于溫度測量。
金屬-半導體接觸：肖特基勢壘的形成依賴于接觸電位降。

權威參考來源

《電子學基礎》（清華大學出版社）：第5章詳細分析了接觸電位降在半導體器件中的作用機制（來源：清華大學出版社教材）。
國際電工委員會（IEC）标準 60050-121：明确定義接觸電位降為"不同材料接觸界面因功函數差異産生的電勢差"（來源：IEC國際标準術語庫）。
IEEE電氣與電子術語标準詞典：将"Contact Potential"描述為"兩種材料間因費米能級對齊形成的靜電電位差"（來源：IEEE标準辭典）。

示例說明

銅（功函數約4.7 eV）與鋁（功函數約4.1 eV）接觸時，電子從鋁流向銅，界面處形成約0.6 V的接觸電位降，鋁側帶正電，銅側帶負電。

網絡擴展解釋

接觸電位降是指兩種不同材料或物體接觸時，因電荷重新分配、材料特性差異或測量幹擾等因素，在接觸界面處産生的電勢差或電位下降現象。以下是具體解釋：

1.電荷轉移效應

當兩個不同電位的物體接觸時，電荷會從高電位物體流向低電位物體，直至達到平衡。例如，帶正電的物體接觸測量儀表時，部分正電荷轉移到儀表上，導緻物體實際電位降低。這種電荷轉移是接觸電位降的核心原因之一。

2.材料特性差異

導體：接觸時會引入附加電容（如儀表探頭的電容），總電容增加。根據公式
$$
V = frac{Q}{C_{text{總}}}
$$
電荷量不變時，電容增大導緻電壓下降，測量值小于真實值。
絕緣體：電荷分布不均，接觸式儀表隻能測量局部電位，無法反映整體電位，可能造成偏差。

3.測量儀器的局限性

輸入阻抗影響：盡管儀表阻抗較高（如10¹²Ω），但微小電荷流失仍可能形成電流（I=V/R），導緻被測物體電荷量減少，電壓顯著下降。
表面電勢差異：不同物質相界面存在表面電勢（不定值），無法直接測量絕對電位，隻能通過接觸點間的電位差間接反映。

接觸電位降是電接觸中不可避免的現象，涉及電荷平衡、材料電容/阻抗特性及測量幹擾的綜合作用。在工程實踐中，需采用非接觸式測量（如靜電計）或修正模型來減少誤差。