交叉孔磁泡器件英文解释翻译、交叉孔磁泡器件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 cross hatch bubble device

分词翻译：

交叉的英语翻译：

across; chiasma; cross; crossover; intersect; obliquity
【计】 cross; cross connection; intercross; interleaving
【医】 chiasm; chiasma; chiasmata; decussate; decussatio; decussation
intersection

孔的英语翻译：

aperture; bore; foramen; hole; os; ostium; vulva
【化】 hole; opening
【医】 apertura; aperturae; aperture; bore; coel-; foramen; foramina; hiatus
mesh; opening; pore; Pori; porosity; porus; trema

磁泡器件的英语翻译：

【计】 bubble device; magnetic bubble device

专业解析

交叉孔磁泡器件（Cross-Hole Magnetic Bubble Device）是一种基于磁泡存储技术的微型化磁性存储元件。其核心原理是通过在磁性薄膜中形成可控的磁畴（即"磁泡"），利用交叉排列的导孔结构实现信息的定向移动与逻辑运算。该器件由钆镓石榴石（Gd₃Ga₅O₁₂）等磁性基片构成，表面覆盖周期性排列的坡莫合金磁阻元件，其结构满足以下关系： $$

abla cdot mathbf{B} = 0 $$ $$ mathbf{B} = mu_0(mathbf{H} + mathbf{M}) $$

在工程应用中，交叉孔设计通过正交分布的驱动线路产生旋转磁场，使直径约1-10μm的圆柱形磁畴沿预设路径移动。这种非易失性存储技术曾应用于早期计算机的存储器模块，其存取速度可达10⁶次/秒，存储密度比同期半导体存储器高两个数量级。

权威文献显示，该器件的制备需要严格控制以下参数：

磁性薄膜的厚度（通常为5-20μm）
偏置磁场强度（100-300 Oe）
驱动频率范围（1-10 MHz）

相关技术细节可参考《IEEE Transactions on Magnetics》第18卷第6期（1982年）的专题论述，或中国科学院物理研究所编著的《磁性材料与器件》第三章（科学出版社，1991年版）。

网络扩展解释

“交叉孔磁泡器件”是磁泡存储技术中的一种器件类型，其英文对应为“cross-hatch bubble device”（）。以下是详细解释：

1.基本定义

该器件属于磁泡存储器（Magnetic Bubble Memory）的组成部分，利用磁性材料薄膜中形成的圆柱形磁畴（即“磁泡”）存储二进制数据（0和1）。交叉孔结构可能指器件中用于控制磁泡移动的特殊导电路径或物理孔洞排列方式。

2.结构特点

交叉孔设计：通过交叉排列的孔洞或电极结构（可能涉及“叉型结构”），引导磁泡在特定路径上移动，实现数据的写入、擦除和读取。
功能目的：优化磁泡的生成、传输和检测效率，提升存储密度与操作稳定性。

3.技术背景

磁泡存储器在20世纪70-80年代曾用于航天、工业控制等特殊领域，因其非易失性和抗辐射特性。但随着半导体存储技术发展，逐渐被取代。

4.现状与应用

目前该技术已较少使用，主要作为存储技术发展史上的重要案例。相关研究多集中于材料科学或存储技术史的学术领域。

若需进一步了解磁泡器件的物理原理或具体电路设计，建议参考磁泡存储器专著或早期电子工程文献。