交叉孔磁泡器件英文解釋翻譯、交叉孔磁泡器件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 cross hatch bubble device

分詞翻譯：

交叉的英語翻譯：

across; chiasma; cross; crossover; intersect; obliquity
【計】 cross; cross connection; intercross; interleaving
【醫】 chiasm; chiasma; chiasmata; decussate; decussatio; decussation
intersection

孔的英語翻譯：

aperture; bore; foramen; hole; os; ostium; vulva
【化】 hole; opening
【醫】 apertura; aperturae; aperture; bore; coel-; foramen; foramina; hiatus
mesh; opening; pore; Pori; porosity; porus; trema

磁泡器件的英語翻譯：

【計】 bubble device; magnetic bubble device

專業解析

交叉孔磁泡器件（Cross-Hole Magnetic Bubble Device）是一種基于磁泡存儲技術的微型化磁性存儲元件。其核心原理是通過在磁性薄膜中形成可控的磁疇（即"磁泡"），利用交叉排列的導孔結構實現信息的定向移動與邏輯運算。該器件由钆镓石榴石（Gd₃Ga₅O₁₂）等磁性基片構成，表面覆蓋周期性排列的坡莫合金磁阻元件，其結構滿足以下關系： $$

abla cdot mathbf{B} = 0 $$ $$ mathbf{B} = mu_0(mathbf{H} + mathbf{M}) $$

在工程應用中，交叉孔設計通過正交分布的驅動線路産生旋轉磁場，使直徑約1-10μm的圓柱形磁疇沿預設路徑移動。這種非易失性存儲技術曾應用于早期計算機的存儲器模塊，其存取速度可達10⁶次/秒，存儲密度比同期半導體存儲器高兩個數量級。

權威文獻顯示，該器件的制備需要嚴格控制以下參數：

磁性薄膜的厚度（通常為5-20μm）
偏置磁場強度（100-300 Oe）
驅動頻率範圍（1-10 MHz）

相關技術細節可參考《IEEE Transactions on Magnetics》第18卷第6期（1982年）的專題論述，或中國科學院物理研究所編著的《磁性材料與器件》第三章（科學出版社，1991年版）。

網絡擴展解釋

“交叉孔磁泡器件”是磁泡存儲技術中的一種器件類型，其英文對應為“cross-hatch bubble device”（）。以下是詳細解釋：

1.基本定義

該器件屬于磁泡存儲器（Magnetic Bubble Memory）的組成部分，利用磁性材料薄膜中形成的圓柱形磁疇（即“磁泡”）存儲二進制數據（0和1）。交叉孔結構可能指器件中用于控制磁泡移動的特殊導電路徑或物理孔洞排列方式。

2.結構特點

交叉孔設計：通過交叉排列的孔洞或電極結構（可能涉及“叉型結構”），引導磁泡在特定路徑上移動，實現數據的寫入、擦除和讀取。
功能目的：優化磁泡的生成、傳輸和檢測效率，提升存儲密度與操作穩定性。

3.技術背景

磁泡存儲器在20世紀70-80年代曾用于航天、工業控制等特殊領域，因其非易失性和抗輻射特性。但隨着半導體存儲技術發展，逐漸被取代。

4.現狀與應用

目前該技術已較少使用，主要作為存儲技術發展史上的重要案例。相關研究多集中于材料科學或存儲技術史的學術領域。

若需進一步了解磁泡器件的物理原理或具體電路設計，建議參考磁泡存儲器專著或早期電子工程文獻。