
【电】 complementary transistors; complementay transistors
互补晶体管(Complementary Transistor)是电子工程中用于描述成对配置的N型与P型半导体器件的专业术语,其核心在于两种极性晶体管的特性互补性。在集成电路设计中,这种结构通常指代互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中的NMOS与PMOS组合。
结构与工作原理
互补晶体管由N沟道(NMOS)和P沟道(PMOS)晶体管并联构成。当NMOS导通时,PMOS关闭,反之亦然,这种推挽式工作模式显著降低了静态功耗。其阈值电压公式可表示为:
$$
V_{th} = frac{kT}{q} lnleft(frac{N_A N_D}{n_i}right)
$$
关键特性
典型应用场景
该技术已发展为现代微电子器件的基石,英特尔22nm FinFET工艺即基于深度优化的互补晶体管架构(来源:Intel Technology Journal)。
互补晶体管(Complementary Transistor)通常指由两种极性相反的晶体管(如P型和N型)组成的互补结构,在电子电路中用于实现高效、低功耗的逻辑功能。以下是详细解释:
基本定义
互补晶体管结构常见于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中,由P型MOSFET和N型MOSFET组成。两者通过互补配置,可在同一电路中交替导通或截止,从而显著降低静态功耗。
核心特点
技术演进
随着半导体技术发展,互补场效应晶体管(CFET)成为新一代方向,通过堆叠P型和N型晶体管的三维结构,进一步突破传统FinFET的物理限制,提升芯片性能与能效。
应用领域
主要应用于数字逻辑电路(如反相器、与非门)、模拟电路(如放大器)以及射频电路。其互补特性也支撑了现代计算机芯片的微型化发展。
如需更专业的电路设计原理或工艺细节,可参考半导体器件相关教材或行业技术文档。
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