英語翻譯：

【電】 complementary transistors; complementay transistors

分詞翻譯：

互的英語翻譯：

each other; mutual

補的英語翻譯：

fill; mend; patch
【計】 complementation
【醫】 tonic
【經】 revamp

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

互補晶體管（Complementary Transistor）是電子工程中用于描述成對配置的N型與P型半導體器件的專業術語，其核心在于兩種極性晶體管的特性互補性。在集成電路設計中，這種結構通常指代互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術中的NMOS與PMOS組合。

結構與工作原理

互補晶體管由N溝道（NMOS）和P溝道（PMOS）晶體管并聯構成。當NMOS導通時，PMOS關閉，反之亦然，這種推挽式工作模式顯著降低了靜态功耗。其阈值電壓公式可表示為：

$$

V_{th} = frac{kT}{q} lnleft(frac{N_A N_D}{n_i}right)

$$

關鍵特性

1. 低功耗優勢：僅在狀态切換時産生電流，適用于電池供電設備（來源：《半導體器件物理》，施敏著）。
2. 高集成密度：0.13μm工藝下可實現每平方毫米百萬級晶體管集成（來源：IEEE Transactions on Electron Devices）。
3. 抗幹擾能力：差分噪聲容限達供電電壓的30%-40%（來源：JEDEC固态技術協會标準）。

典型應用場景

• 數字邏輯門電路（如反相器、與非門）
• 模拟開關與運算放大器輸入級
• 射頻前端功率調節模塊

該技術已發展為現代微電子器件的基石，英特爾22nm FinFET工藝即基于深度優化的互補晶體管架構（來源：Intel Technology Journal）。

網絡擴展解釋

互補晶體管（Complementary Transistor）通常指由兩種極性相反的晶體管（如P型和N型）組成的互補結構，在電子電路中用于實現高效、低功耗的邏輯功能。以下是詳細解釋：

1. 基本定義
   互補晶體管結構常見于互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術中，由P型MOSFET和N型MOSFET組成。兩者通過互補配置，可在同一電路中交替導通或截止，從而顯著降低靜态功耗。

2. 核心特點

• 低功耗：僅在開關切換時消耗能量，靜态電流幾乎為零。
• 高噪聲容限：互補結構增強信號穩定性。
• 集成度高：適合大規模集成電路制造，廣泛應用于微處理器和存儲器。

3. 技術演進
   隨着半導體技術發展，互補場效應晶體管（CFET）成為新一代方向，通過堆疊P型和N型晶體管的三維結構，進一步突破傳統FinFET的物理限制，提升芯片性能與能效。

4. 應用領域
   主要應用于數字邏輯電路（如反相器、與非門）、模拟電路（如放大器）以及射頻電路。其互補特性也支撐了現代計算機芯片的微型化發展。

如需更專業的電路設計原理或工藝細節，可參考半導體器件相關教材或行業技術文檔。

分類

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