合金接面电晶体英文解释翻译、合金接面电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 alloy-junction transistor

分词翻译：

合金的英语翻译：

alloy; metal
【化】 alloy
【医】 alloy
【经】 alloy

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

合金接面电晶体（Alloy Junction Transistor）是一种早期发展的重要双极性接面电晶体（BJT）。其核心特征与工作原理如下：

结构特征（Structural Characteristics）
- 基础材料 (Base Material)：通常采用一块N型或P型锗（早期）或硅半导体薄片作为基极（Base）。
- 合金接面形成 (Alloy Junction Formation)：发射极（Emitter）和集电极（Collector）是通过在基极薄片的两侧分别熔合含有适量施体（Donor）或受体（Acceptor）杂质的金属小球（如铟 In）形成的。在加热冷却过程中，金属杂质扩散进入基区半导体，形成与基区导电类型相反的P-N接面（对于N型基极，形成P型发射极和集电极；反之亦然）。这种通过合金工艺形成的接面称为“合金接面”。
工作原理（Operating Principle）
- 与所有双极性接面电晶体一样，合金接面电晶体利用少数载子（Minority Carrier）的注入与扩散来控制电流。
- 发射极-基极接面 (Emitter-Base Junction)：当此接面处于正向偏压（Forward Bias）时，多数载子（Majority Carrier）从发射极注入基区，成为基区的少数载子。
- 基区输运 (Base Transport)：注入的少数载子在基区中扩散。基区需要做得非常薄（微米量级），以使大部分注入载子能扩散到达集电极接面，而不是在基区复合。
- 集电极-基极接面 (Collector-Base Junction)：此接面通常处于反向偏压（Reverse Bias）。扩散到达此接面边缘的少数载子会被接面处的强电场扫入集电极，形成集电极电流。集电极电流的大小主要受发射极注入电流（即基极电流）控制，体现了电流放大作用。
历史意义与特点（Historical Significance & Features）
- 早期技术 (Early Technology)：合金接面电晶体是继点接触电晶体之后发展起来的首批实用化电晶体之一，在1950年代至1960年代初被广泛应用。
- 工艺相对简单 (Relatively Simple Process)：相比后来的扩散平面工艺，合金工艺在早期更容易实现。
- 频率限制 (Frequency Limitation)：由于合金接面是突变接面（Abrupt Junction），且基区厚度相对较难精确控制到很薄，其高频特性（如截止频率）通常不如后来发展的扩散平面电晶体（Diffused Planar Transistor）。
- 饱和电压 (Saturation Voltage)：合金接面电晶体在饱和区的集电极-发射极电压（V_CE(sat)）通常较低。

参考资料 (References):

IEEE Xplore Digital Library: 提供大量关于早期半导体器件历史和技术的经典论文。 (搜索关键词：Alloy Junction Transistor, History of Transistor)
Sze, S. M., & Ng, K. K. (2007). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley-Interscience. (经典半导体物理与器件教材，涵盖基础原理)
Streetman, B. G., & Banerjee, S. (2016). Solid State Electronic Devices (7th ed.). Pearson. (电子器件教材，包含双极性电晶体工作原理)
Millman, J., & Halkias, C. C. (1972). Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems. McGraw-Hill. (经典电子学教材，包含早期电晶体类型介绍)

网络扩展解释

“合金接面电晶体”是一个电子工程领域的专业术语，其含义需拆解为“合金”“接面”和“电晶体”三部分综合理解：

电晶体（Transistor）
即晶体管，是一种半导体器件，主要用于信号放大、开关控制、稳压等功能。根据结构不同可分为双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
合金接面（Alloy Junction）
指通过合金化工艺在半导体材料（如锗或硅）上形成的PN结（即接面）。其原理是将金属材料（如铟）与半导体基板高温熔合，形成合金区域，从而构成电极与半导体之间的界面。
合金接面电晶体的特点
- 制造工艺：早期晶体管常用合金法，通过高温熔融金属与半导体结合，工艺简单但精度较低。
- 性能：合金接面通常较厚，高频特性较弱，但稳定性较高，适用于低频大电流场景。
- 应用：多见于早期点接触型晶体管，现多被扩散法或平面工艺替代。

补充说明：现代晶体管更多采用离子注入或扩散技术制造接面，合金接面因工艺限制已较少使用，但在特定领域（如功率器件）仍有应用。