合金接面電晶體英文解釋翻譯、合金接面電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 alloy-junction transistor

分詞翻譯：

合金的英語翻譯：

alloy; metal
【化】 alloy
【醫】 alloy
【經】 alloy

接的英語翻譯：

receive; accept
【電】 connecting

面的英語翻譯：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

合金接面電晶體（Alloy Junction Transistor）是一種早期發展的重要雙極性接面電晶體（BJT）。其核心特征與工作原理如下：

結構特征（Structural Characteristics）
- 基礎材料 (Base Material)：通常采用一塊N型或P型鍺（早期）或矽半導體薄片作為基極（Base）。
- 合金接面形成 (Alloy Junction Formation)：發射極（Emitter）和集電極（Collector）是通過在基極薄片的兩側分别熔合含有適量施體（Donor）或受體（Acceptor）雜質的金屬小球（如铟 In）形成的。在加熱冷卻過程中，金屬雜質擴散進入基區半導體，形成與基區導電類型相反的P-N接面（對于N型基極，形成P型發射極和集電極；反之亦然）。這種通過合金工藝形成的接面稱為“合金接面”。
工作原理（Operating Principle）
- 與所有雙極性接面電晶體一樣，合金接面電晶體利用少數載子（Minority Carrier）的注入與擴散來控制電流。
- 發射極-基極接面 (Emitter-Base Junction)：當此接面處于正向偏壓（Forward Bias）時，多數載子（Majority Carrier）從發射極注入基區，成為基區的少數載子。
- 基區輸運 (Base Transport)：注入的少數載子在基區中擴散。基區需要做得非常薄（微米量級），以使大部分注入載子能擴散到達集電極接面，而不是在基區複合。
- 集電極-基極接面 (Collector-Base Junction)：此接面通常處于反向偏壓（Reverse Bias）。擴散到達此接面邊緣的少數載子會被接面處的強電場掃入集電極，形成集電極電流。集電極電流的大小主要受發射極注入電流（即基極電流）控制，體現了電流放大作用。
曆史意義與特點（Historical Significance & Features）
- 早期技術 (Early Technology)：合金接面電晶體是繼點接觸電晶體之後發展起來的首批實用化電晶體之一，在1950年代至1960年代初被廣泛應用。
- 工藝相對簡單 (Relatively Simple Process)：相比後來的擴散平面工藝，合金工藝在早期更容易實現。
- 頻率限制 (Frequency Limitation)：由于合金接面是突變接面（Abrupt Junction），且基區厚度相對較難精确控制到很薄，其高頻特性（如截止頻率）通常不如後來發展的擴散平面電晶體（Diffused Planar Transistor）。
- 飽和電壓 (Saturation Voltage)：合金接面電晶體在飽和區的集電極-發射極電壓（V_CE(sat)）通常較低。

參考資料 (References):

IEEE Xplore Digital Library: 提供大量關于早期半導體器件曆史和技術的經典論文。 (搜索關鍵詞：Alloy Junction Transistor, History of Transistor)
Sze, S. M., & Ng, K. K. (2007). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley-Interscience. (經典半導體物理與器件教材，涵蓋基礎原理)
Streetman, B. G., & Banerjee, S. (2016). Solid State Electronic Devices (7th ed.). Pearson. (電子器件教材，包含雙極性電晶體工作原理)
Millman, J., & Halkias, C. C. (1972). Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems. McGraw-Hill. (經典電子學教材，包含早期電晶體類型介紹)

網絡擴展解釋

“合金接面電晶體”是一個電子工程領域的專業術語，其含義需拆解為“合金”“接面”和“電晶體”三部分綜合理解：

電晶體（Transistor）
即晶體管，是一種半導體器件，主要用于信號放大、開關控制、穩壓等功能。根據結構不同可分為雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
合金接面（Alloy Junction）
指通過合金化工藝在半導體材料（如鍺或矽）上形成的PN結（即接面）。其原理是将金屬材料（如铟）與半導體基闆高溫熔合，形成合金區域，從而構成電極與半導體之間的界面。
合金接面電晶體的特點
- 制造工藝：早期晶體管常用合金法，通過高溫熔融金屬與半導體結合，工藝簡單但精度較低。
- 性能：合金接面通常較厚，高頻特性較弱，但穩定性較高，適用于低頻大電流場景。
- 應用：多見于早期點接觸型晶體管，現多被擴散法或平面工藝替代。

補充說明：現代晶體管更多采用離子注入或擴散技術制造接面，合金接面因工藝限制已較少使用，但在特定領域（如功率器件）仍有應用。