
【电】 silicon resistor
silicon
【医】 Si; silicium; silicon
resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance
硅电阻(Silicon Resistor)是电子工程领域中基于半导体材料硅(Si)制成的电阻器件。其核心原理是通过控制硅材料的掺杂浓度和几何结构实现特定电阻值,具备温度敏感性和稳定性双重特性。从汉英词典角度解析,该术语对应英文为"silicon resistor",词根"silicon"源自拉丁语"silex"(燧石),指代元素周期表中原子序数14的半导体材料。
硅电阻的物理结构通常由单晶硅或多晶硅基底构成,通过离子注入或扩散工艺形成P型或N型掺杂区域(来源:《半导体器件物理》,Springer出版)。其电阻率可表示为: $$ rho = frac{1}{q(mu_n n + mu_p p)} $$ 其中q为电子电荷量,μ_n和μ_p分别代表电子和空穴迁移率,n、p为载流子浓度。该公式揭示了掺杂浓度与电阻值的反比关系(来源:IEEE Electron Device Letters)。
在工业应用中,硅电阻主要承担两大功能:
该器件符合IEC 60115国际标准对固定电阻器的通用规范,在5G通信基站和新能源汽车电控系统中具有关键应用(来源:国际电工委员会年度报告)。
关于“硅电阻”的解释可分为以下要点:
基本定义 硅电阻通常指以硅(Si)为主要材料制成的电阻元件,或指硅材料本身的电阻特性。硅作为半导体材料,其电阻率介于导体(如金属)和绝缘体之间,常温下本征硅电阻率约为$2.3 times 10 Omega cdot m$。
材料特性
应用场景
注意事项
若需具体参数或型号选型建议,可提供更详细的应用场景以便进一步分析。
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