
【電】 silicon resistor
silicon
【醫】 Si; silicium; silicon
resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance
矽電阻(Silicon Resistor)是電子工程領域中基于半導體材料矽(Si)制成的電阻器件。其核心原理是通過控制矽材料的摻雜濃度和幾何結構實現特定電阻值,具備溫度敏感性和穩定性雙重特性。從漢英詞典角度解析,該術語對應英文為"silicon resistor",詞根"silicon"源自拉丁語"silex"(燧石),指代元素周期表中原子序數14的半導體材料。
矽電阻的物理結構通常由單晶矽或多晶矽基底構成,通過離子注入或擴散工藝形成P型或N型摻雜區域(來源:《半導體器件物理》,Springer出版)。其電阻率可表示為: $$ rho = frac{1}{q(mu_n n + mu_p p)} $$ 其中q為電子電荷量,μ_n和μ_p分别代表電子和空穴遷移率,n、p為載流子濃度。該公式揭示了摻雜濃度與電阻值的反比關系(來源:IEEE Electron Device Letters)。
在工業應用中,矽電阻主要承擔兩大功能:
該器件符合IEC 60115國際标準對固定電阻器的通用規範,在5G通信基站和新能源汽車電控系統中具有關鍵應用(來源:國際電工委員會年度報告)。
關于“矽電阻”的解釋可分為以下要點:
基本定義 矽電阻通常指以矽(Si)為主要材料制成的電阻元件,或指矽材料本身的電阻特性。矽作為半導體材料,其電阻率介于導體(如金屬)和絕緣體之間,常溫下本征矽電阻率約為$2.3 times 10 Omega cdot m$。
材料特性
應用場景
注意事項
若需具體參數或型號選型建議,可提供更詳細的應用場景以便進一步分析。
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