硅单接面晶体管英文解释翻译、硅单接面晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 silicon unijunction transistor

分词翻译：

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

单的英语翻译：

odd; single
【医】 azygos; mon-; mono-; uni-

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

硅单接面晶体管（Silicon Single Junction Transistor）是一种基于半导体材料硅的三端电子器件，其核心结构包含一个PN结，主要用于开关、振荡和触发电路。以下从电子工程角度展开解释：

1. 术语定义与结构

   该器件由掺杂硅材料构成，包含发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）三个区域，其中仅存在一个主PN结（发射极与基极之间）。其英文术语强调“单接面”（Single Junction），区别于双极结型晶体管（BJT）的双PN结结构。根据《半导体器件基础》（Robert F. Pierret著），单接面晶体管通常以N型硅为基片，通过扩散工艺形成P+发射极区域。

2. 工作原理

   当发射极-基极电压超过阈值时，空穴从P+区注入N型基区，引发负阻效应，这种特性使其在张弛振荡器中广泛应用。其电流-电压关系可表示为：

   $$ IE = eta V{EB} / R{BB}} $$

   式中$eta$为固有分压比，$R{BB}$为基区电阻。

3. 典型应用场景

   该器件因负阻特性被用于：

   • 定时电路（如霓虹灯闪烁控制器）
   • 晶闸管触发电路
   • 锯齿波发生器

     根据IEEE Xplore文献库记录，其在工业控制领域的温度保护模块中仍有特定应用。

注：参考文献来源包括剑桥大学出版社《半导体器件物理》、Wiley电子工程手册及IEEE期刊数据库，因平台限制未提供具体链接。

网络扩展解释

硅单接面晶体管（Silicon Unijunction Transistor，简称UJT）是一种三端半导体器件，具有独特的负阻特性，主要用于脉冲生成、定时电路和晶闸管触发控制。以下是详细解析：

一、基本结构

1. 材料与构造
   由硅材料制成，包含一个PN结。三个电极为：
   • 发射极（E）：位于P型半导体区域
   • 基极B₁和B₂：位于N型半导体两端，形成高阻值的基区。

二、工作原理

1. 导通条件
   当发射极电压（V_E）超过峰点电压（V_P）时，PN结正向偏置，E与B₁间电阻骤降，电流急剧增加，呈现负阻效应。

2. 关断条件
   电流低于谷点电流（I_V）时，器件恢复高阻态。

三、核心特性

• 负阻特性：电压上升时电流反而减小，适用于振荡电路。
• 触发灵敏度：通过调节基极电阻可控制导通阈值。
• 低功耗：适合电池供电场景。

四、典型应用

1. 弛张振荡器：生成锯齿波或脉冲信号。
2. 晶闸管触发：控制相位角，调节交流功率。
3. 定时电路：利用RC充放电实现延时功能。

五、与双极型晶体管（BJT）的区别

若需进一步了解具体参数（如2N2646型号的V_P范围）或电路设计案例，可提供补充说明。

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