矽單接面晶體管英文解釋翻譯、矽單接面晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 silicon unijunction transistor

分詞翻譯：

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

單的英語翻譯：

odd; single
【醫】 azygos; mon-; mono-; uni-

接的英語翻譯：

receive; accept
【電】 connecting

面的英語翻譯：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

矽單接面晶體管（Silicon Single Junction Transistor）是一種基于半導體材料矽的三端電子器件，其核心結構包含一個PN結，主要用于開關、振蕩和觸發電路。以下從電子工程角度展開解釋：

1. 術語定義與結構

   該器件由摻雜矽材料構成，包含發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）三個區域，其中僅存在一個主PN結（發射極與基極之間）。其英文術語強調“單接面”（Single Junction），區别于雙極結型晶體管（BJT）的雙PN結結構。根據《半導體器件基礎》（Robert F. Pierret著），單接面晶體管通常以N型矽為基片，通過擴散工藝形成P+發射極區域。

2. 工作原理

   當發射極-基極電壓超過阈值時，空穴從P+區注入N型基區，引發負阻效應，這種特性使其在張弛振蕩器中廣泛應用。其電流-電壓關系可表示為：

   $$ IE = eta V{EB} / R{BB}} $$

   式中$eta$為固有分壓比，$R{BB}$為基區電阻。

3. 典型應用場景

   該器件因負阻特性被用于：

   • 定時電路（如霓虹燈閃爍控制器）
   • 晶閘管觸發電路
   • 鋸齒波發生器

     根據IEEE Xplore文獻庫記錄，其在工業控制領域的溫度保護模塊中仍有特定應用。

注：參考文獻來源包括劍橋大學出版社《半導體器件物理》、Wiley電子工程手冊及IEEE期刊數據庫，因平台限制未提供具體鍊接。

網絡擴展解釋

矽單接面晶體管（Silicon Unijunction Transistor，簡稱UJT）是一種三端半導體器件，具有獨特的負阻特性，主要用于脈沖生成、定時電路和晶閘管觸發控制。以下是詳細解析：

一、基本結構

1. 材料與構造
   由矽材料制成，包含一個PN結。三個電極為：
   • 發射極（E）：位于P型半導體區域
   • 基極B₁和B₂：位于N型半導體兩端，形成高阻值的基區。

二、工作原理

1. 導通條件
   當發射極電壓（V_E）超過峰點電壓（V_P）時，PN結正向偏置，E與B₁間電阻驟降，電流急劇增加，呈現負阻效應。

2. 關斷條件
   電流低于谷點電流（I_V）時，器件恢複高阻态。

三、核心特性

• 負阻特性：電壓上升時電流反而減小，適用于振蕩電路。
• 觸發靈敏度：通過調節基極電阻可控制導通阈值。
• 低功耗：適合電池供電場景。

四、典型應用

1. 弛張振蕩器：生成鋸齒波或脈沖信號。
2. 晶閘管觸發：控制相位角，調節交流功率。
3. 定時電路：利用RC充放電實現延時功能。

五、與雙極型晶體管（BJT）的區别

若需進一步了解具體參數（如2N2646型號的V_P範圍）或電路設計案例，可提供補充說明。

分類

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