刻蚀英文解释翻译、刻蚀的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 etch

分词翻译：

刻的英语翻译：

a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription

蚀的英语翻译：

corrode; erode; lose

专业解析

"刻蚀"（kèshí）是半导体制造及微电子加工领域的核心工艺术语，对应的英文翻译为"etching"，指通过物理或化学手段选择性去除材料表层，形成特定微结构的技术过程。根据国际半导体技术路线图（International Technology Roadmap for Semiconductors）的定义，该术语包含三个关键维度：

技术分类
- 湿法刻蚀（Wet Etching）：使用液态化学试剂溶解材料，如氢氟酸对二氧化硅的腐蚀
- 干法刻蚀（Dry Etching）：通过等离子体进行离子轰击，包含反应离子刻蚀（RIE）和深反应离子刻蚀（DRIE）
应用场景
在集成电路制造中用于形成晶体管栅极（如FinFET结构）、金属互连层及MEMS器件空腔等，美国化学学会《ACS Applied Materials & Interfaces》期刊证实其在5nm芯片制程中的关键作用。
工艺参数
涉及刻蚀速率（单位：Å/min）、选择比（不同材料的刻蚀速率比值）和各向异性度等技术指标，牛津大学出版社《电子工程术语词典》强调这些参数直接影响器件良率。

网络扩展解释

刻蚀是半导体制造中的关键工艺，主要用于通过化学或物理方法选择性去除材料，从而将光刻胶上的图形精确转移到基材表面。以下是综合多个来源的详细解释：

一、定义与核心作用

刻蚀（Etching）是一种与光刻技术配合的图形化处理工艺。其核心步骤是：先通过光刻在材料表面形成光刻胶掩模，再通过腐蚀去除未被掩模保护的部分，最终在基材上复制出所需图形。

二、主要分类及特点

湿法刻蚀
- 原理：使用液态化学溶液（如酸、碱）进行腐蚀。
- 优点：选择性高、成本低、设备简单。
- 缺点：各向同性明显（横向钻刻严重），难以控制微小图形，适用于>3微米工艺或残留物清洗。
干法刻蚀
- 原理：利用等离子体或反应气体（无液体参与）进行刻蚀。
- 优点：各向异性好（垂直刻蚀）、精度高（可达纳米级），适用于先进制程。
- 细分类型：包括电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP），后者适合处理较薄/软材料。

三、关键参数

刻蚀速率：单位时间去除的材料厚度，受温度、反应物浓度影响。
选择比：不同材料间的刻蚀速率差异，影响工艺控制精度。
均匀性：刻蚀结果在晶圆表面的分布一致性。
刻蚀剖面：分为各向同性（横向与纵向速率相同）和各向异性（纵向主导）。

四、应用场景

湿法：传统工艺、大尺寸器件、金属层处理及干法后清洗。
干法：现代逻辑芯片、存储器件（如DRAM/Flash）的精密图形制作。

五、发展趋势

随着半导体工艺进入纳米级，干法刻蚀因高精度成为主流，但湿法在特定场景仍不可替代。未来技术将更注重控制选择比与减少器件损伤。