刻蝕英文解釋翻譯、刻蝕的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 etch

分詞翻譯：

刻的英語翻譯：

a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription

蝕的英語翻譯：

corrode; erode; lose

專業解析

"刻蝕"（kèshí）是半導體制造及微電子加工領域的核心工藝術語，對應的英文翻譯為"etching"，指通過物理或化學手段選擇性去除材料表層，形成特定微結構的技術過程。根據國際半導體技術路線圖（International Technology Roadmap for Semiconductors）的定義，該術語包含三個關鍵維度：

技術分類
- 濕法刻蝕（Wet Etching）：使用液态化學試劑溶解材料，如氫氟酸對二氧化矽的腐蝕
- 幹法刻蝕（Dry Etching）：通過等離子體進行離子轟擊，包含反應離子刻蝕（RIE）和深反應離子刻蝕（DRIE）
應用場景
在集成電路制造中用于形成晶體管栅極（如FinFET結構）、金屬互連層及MEMS器件空腔等，美國化學學會《ACS Applied Materials & Interfaces》期刊證實其在5nm芯片制程中的關鍵作用。
工藝參數
涉及刻蝕速率（單位：Å/min）、選擇比（不同材料的刻蝕速率比值）和各向異性度等技術指标，牛津大學出版社《電子工程術語詞典》強調這些參數直接影響器件良率。

網絡擴展解釋

刻蝕是半導體制造中的關鍵工藝，主要用于通過化學或物理方法選擇性去除材料，從而将光刻膠上的圖形精确轉移到基材表面。以下是綜合多個來源的詳細解釋：

一、定義與核心作用

刻蝕（Etching）是一種與光刻技術配合的圖形化處理工藝。其核心步驟是：先通過光刻在材料表面形成光刻膠掩模，再通過腐蝕去除未被掩模保護的部分，最終在基材上複制出所需圖形。

二、主要分類及特點

濕法刻蝕
- 原理：使用液态化學溶液（如酸、堿）進行腐蝕。
- 優點：選擇性高、成本低、設備簡單。
- 缺點：各向同性明顯（橫向鑽刻嚴重），難以控制微小圖形，適用于>3微米工藝或殘留物清洗。
幹法刻蝕
- 原理：利用等離子體或反應氣體（無液體參與）進行刻蝕。
- 優點：各向異性好（垂直刻蝕）、精度高（可達納米級），適用于先進制程。
- 細分類型：包括電容性等離子體刻蝕（CCP）和電感性等離子體刻蝕（ICP），後者適合處理較薄/軟材料。

三、關鍵參數

刻蝕速率：單位時間去除的材料厚度，受溫度、反應物濃度影響。
選擇比：不同材料間的刻蝕速率差異，影響工藝控制精度。
均勻性：刻蝕結果在晶圓表面的分布一緻性。
刻蝕剖面：分為各向同性（橫向與縱向速率相同）和各向異性（縱向主導）。

四、應用場景

濕法：傳統工藝、大尺寸器件、金屬層處理及幹法後清洗。
幹法：現代邏輯芯片、存儲器件（如DRAM/Flash）的精密圖形制作。

五、發展趨勢

隨着半導體工藝進入納米級，幹法刻蝕因高精度成為主流，但濕法在特定場景仍不可替代。未來技術将更注重控制選擇比與減少器件損傷。

（注：如需完整技術細節或設備信息，可參考來源、4、6等）