英语翻译：

【计】 erasable programmable read-only memory; erasable PROM

分词翻译：

可的英语翻译：

approve; but; can; may; need; yet

擦的英语翻译：

mop; brush; rub; scour; scrape; scratch; wipe

可编程序只读存储器的英语翻译：

【计】 programmable read only memory; PROM; PROM simulator

专业解析

可擦可编程序只读存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM）是一种非易失性存储器芯片，其名称包含三个核心特性：

1. 可擦性（Erasable）：通过紫外线照射（波长253.7 nm）可擦除内部存储数据，芯片表面设有石英窗口便于紫外线穿透。
2. 可编程性（Programmable）：使用高压脉冲信号（如12.5 V）通过专用编程器写入数据，写入后数据长期保存。
3. 只读性（Read-Only）：正常工作模式下仅支持数据读取，需特殊设备才能修改内容。

技术原理：EPROM基于浮栅MOSFET结构，电荷被困在浮栅中决定晶体管导通状态，紫外线激发电子跃迁实现擦除。典型型号如Intel 2716（16 Kb）采用双列直插封装。

应用场景：

• 固件存储：80年代计算机BIOS常用介质
• 工业控制：PLC程序备份
• 原型开发：支持多次修改的硬件验证

参考来源：

• 半导体存储器技术手册（ISBN 978-7-121-30123-4）
• IEEE固态电路期刊（DOI:10.1109/JSSC.1971.1050248）
• Intel 2716数据手册（Intel Corporation, 1978）

网络扩展解释

可擦可编程只读存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EPROM/EEPROM）是一种非易失性存储器，其核心特性是允许通过特定方式擦除和重新编程数据。以下是详细解释：

一、定义与分类

1. 基本概念
   这类存储器属于ROM（只读存储器）的衍生类型，具有断电后数据不丢失的特性。与传统ROM不同，它支持用户通过物理或电信号方式擦除原有数据并重新编程。

2. 主要类型

   • EPROM：需紫外线擦除（如描述），擦除时需将芯片暴露于紫外线下约20分钟，操作较为繁琐。
   • EEPROM：通过电信号擦写（如、2所述），利用浮栅晶体管和F-N隧道效应实现电子注入/释放，无需物理移除芯片。

二、工作原理

1. 存储结构
   采用浮栅晶体管设计，浮栅中的电子数量决定存储单元的导电状态（0或1）。电荷保留能力依赖于氧化层的绝缘性。

2. 擦写机制

   • 擦除：施加高压使电子穿过氧化层释放（EEPROM），或紫外线激发电子逃逸（EPROM）。
   • 写入：通过控制电压将电子注入浮栅，改变导电性。

三、应用场景

1. 电子设备
   用于存储固件、配置参数等需长期保存但偶尔更新的数据，如路由器、智能家电。

2. 工业领域
   在嵌入式系统中保存校准数据或设备历史记录，支持现场升级。

四、技术对比

类型	擦除方式	擦写次数	典型应用场景
EPROM	紫外线	约千次	早期固件存储
EEPROM	电信号	百万次	现代电子设备参数存储

可擦可编程只读存储器通过特殊物理或电学机制实现了数据的重复编程，平衡了只读存储的稳定性和灵活修改的需求。其技术演进从EPROM到EEPROM，显著提升了易用性和可靠性。

分类

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