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可擦可編程式隻讀存儲器英文解釋翻譯、可擦可編程式隻讀存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 erasable programmable read-only memory; erasable PROM

分詞翻譯:

可的英語翻譯:

approve; but; can; may; need; yet

擦的英語翻譯:

mop; brush; rub; scour; scrape; scratch; wipe

可編程式隻讀存儲器的英語翻譯:

【計】 programmable read only memory; PROM; PROM simulator

專業解析

可擦可編程式隻讀存儲器(Erasable Programmable Read-Only Memory,EPROM)是一種非易失性存儲器芯片,其名稱包含三個核心特性:

  1. 可擦性(Erasable):通過紫外線照射(波長253.7 nm)可擦除内部存儲數據,芯片表面設有石英窗口便于紫外線穿透。
  2. 可編程性(Programmable):使用高壓脈沖信號(如12.5 V)通過專用編程器寫入數據,寫入後數據長期保存。
  3. 隻讀性(Read-Only):正常工作模式下僅支持數據讀取,需特殊設備才能修改内容。

技術原理:EPROM基于浮栅MOSFET結構,電荷被困在浮栅中決定晶體管導通狀态,紫外線激發電子躍遷實現擦除。典型型號如Intel 2716(16 Kb)采用雙列直插封裝。

應用場景:

參考來源:

網絡擴展解釋

可擦可編程隻讀存儲器(Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱EPROM/EEPROM)是一種非易失性存儲器,其核心特性是允許通過特定方式擦除和重新編程數據。以下是詳細解釋:

一、定義與分類

  1. 基本概念
    這類存儲器屬于ROM(隻讀存儲器)的衍生類型,具有斷電後數據不丢失的特性。與傳統ROM不同,它支持用戶通過物理或電信號方式擦除原有數據并重新編程。

  2. 主要類型

    • EPROM:需紫外線擦除(如描述),擦除時需将芯片暴露于紫外線下約20分鐘,操作較為繁瑣。
    • EEPROM:通過電信號擦寫(如、2所述),利用浮栅晶體管和F-N隧道效應實現電子注入/釋放,無需物理移除芯片。

二、工作原理

  1. 存儲結構
    采用浮栅晶體管設計,浮栅中的電子數量決定存儲單元的導電狀态(0或1)。電荷保留能力依賴于氧化層的絕緣性。

  2. 擦寫機制

    • 擦除:施加高壓使電子穿過氧化層釋放(EEPROM),或紫外線激發電子逃逸(EPROM)。
    • 寫入:通過控制電壓将電子注入浮栅,改變導電性。

三、應用場景

  1. 電子設備
    用于存儲固件、配置參數等需長期保存但偶爾更新的數據,如路由器、智能家電。

  2. 工業領域
    在嵌入式系統中保存校準數據或設備曆史記錄,支持現場升級。

四、技術對比

類型 擦除方式 擦寫次數 典型應用場景
EPROM 紫外線 約千次 早期固件存儲
EEPROM 電信號 百萬次 現代電子設備參數存儲

可擦可編程隻讀存儲器通過特殊物理或電學機制實現了數據的重複編程,平衡了隻讀存儲的穩定性和靈活修改的需求。其技術演進從EPROM到EEPROM,顯著提升了易用性和可靠性。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

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