
【计】 etchant resist; resister
contend with; defy; fight; refuse; repel; resist
【医】 Adv.; contra-; ob-
corrode; erode; lose
film; membrane; theca; velamen; velum
【化】 membrane
【医】 coat; envelope; film; lemma; membranae membranae; membranae membrane
panniculus; theca; thecae; tunic; tunica; velamen; velamenta
velamentum
抗蚀膜(Photoresist)是半导体制造与微电子加工中的核心材料,其英文术语为"photoresist"或简称为"resist"。该材料通过光化学反应形成保护层,在蚀刻工艺中保护基材表面特定区域免受化学侵蚀。根据国际半导体技术路线图(ITRS)的定义,抗蚀膜可分为正性(positive)和负性(negative)两大类型,正性抗蚀膜曝光区域在显影时溶解,负性抗蚀膜则保留曝光区域。
在应用层面,抗蚀膜主要承担图形转移功能,广泛运用于集成电路制造、印刷电路板(PCB)加工和微机电系统(MEMS)领域。美国材料试验协会(ASTM)标准F127-84指出,抗蚀膜需具备高分辨率、耐蚀刻性和热稳定性三大特性,其中化学放大抗蚀膜(CAR)凭借其纳米级加工能力,已成为先进制程中的主流材料。
技术参数方面,抗蚀膜的关键指标包括敏感度(以mJ/cm²为单位)、对比度(Gamma值)和线宽粗糙度(LWR)。根据《半导体制造技术基础》(Fundamentals of Semiconductor Manufacturing)的论述,现代极紫外(EUV)抗蚀膜已实现<10nm的图形分辨率,其化学组成通常包含感光剂、树脂基质和溶剂三大成分。
抗蚀膜是一种在工业制造(如印制电路板、集成电路等)中用于保护基材免受化学腐蚀或电镀影响的特殊涂层材料,其核心作用是通过选择性遮蔽形成图案化保护层。以下是详细解释:
抗蚀膜又称光致硬化膜,主要由感光性树脂制成。当特定区域通过曝光(如紫外线、软X射线等)后,感光材料发生化学反应,形成难溶于水或溶剂的硬化结构。未曝光区域则可通过显影液去除,从而在基材表面形成保护性图案。
随着微电子行业对精度的要求提升,抗蚀膜技术正朝着更高分辨率(如软X射线投影光刻)和环保化(如水溶性材料)方向发展。
若需了解抗蚀膜的具体制备工艺或更多应用场景,可进一步查阅专业文献或行业标准。
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