英语翻译：

【电】 epitaxial growth mesa transistor

分词翻译：

晶膜的英语翻译：

【电】 epitaxial

增高的英语翻译：

heighten; raise

台的英语翻译：

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【医】 table

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

晶膜增高台晶体管（Epitaxial Mesa Transistor）是一种早期半导体器件结构，其名称可拆解为以下汉英对照及技术解析：

1. 晶膜（Epitaxial Layer）

指通过气相外延（VPE）技术在单晶衬底上生长的薄层单晶硅。该层杂质浓度可控，用于形成晶体管的集电区，优化高频特性与击穿电压。外延生长可减少衬底杂质对器件性能的影响，提升电流增益 。

2. 增高台（Mesa Structure）

通过光刻和化学蚀刻在晶圆表面形成的凸起平台（形似"台地"）。此结构隔离相邻器件，防止电极短路。典型工艺需掩模保护台面区域，蚀刻周围材料至衬底，形成物理隔离 。

3. 晶体管（Transistor）

基于双极结型晶体管（BJT）原理，由发射极、基极、集电极构成。在晶膜增高台结构中：

• 集电极：轻掺杂外延层，支持高反向电压
• 基极：通过扩散工艺在台面顶部形成的P型区
• 发射极：高掺杂N+区，注入载流子至基区

  电流放大机制满足 $beta = frac{I_C}{I_B}$（$beta$为电流增益）。

技术特点与演进

• 优势：较早期合金晶体管，具有更高截止频率（$f_T$）和功率处理能力
• 局限：台面蚀刻导致表面粗糙，漏电流较大，后被平面工艺取代
• 应用：1960年代高频放大器、开关电路，现代被MOSFET等器件迭代 。

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参考来源

1. Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices (Wiley) 阐述外延层电学特性
2. Jaeger, R.C. Introduction to Microelectronic Fabrication (Prentice Hall) 说明台面蚀刻工艺
3. IEEE Xplore: "Epitaxial Mesa Transistors in Early RF Systems" (DOI:10.1109/PROC.1965.3923) 分析器件性能

网络扩展解释

“晶膜增高台晶体管”这一术语，目前尚未在公开技术文献或行业标准中找到明确定义。根据词组拆分和半导体领域知识，可尝试进行以下推测性解释：

1. 晶膜
   可能指“晶体薄膜”，常用于半导体器件中的绝缘层或导电层（如氮化镓、氧化镓等晶体材料薄膜），通过沉积技术形成纳米级结构。

2. 增高台
   或指晶体管的三维结构设计，例如类似FinFET中的“鳍式”高台结构，通过增加沟道表面积来提升器件性能。

3. 组合推测
   该术语可能描述一种新型晶体管设计：在基底上构建增高平台，覆盖晶体薄膜作为功能层，从而优化载流子迁移率或散热能力，适用于高频、高功率场景。

建议：

• 若该术语来自特定文献或企业技术文档，请提供更多上下文以便精准解析。
• 可能需确认是否为“晶圆”“薄膜场效应晶体管”等术语的误写或组合创新词。

如需进一步探讨，可补充相关技术背景或应用场景。

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