英語翻譯：

【電】 epitaxial growth mesa transistor

分詞翻譯：

晶膜的英語翻譯：

【電】 epitaxial

增高的英語翻譯：

heighten; raise

台的英語翻譯：

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【醫】 table

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

晶膜增高台晶體管（Epitaxial Mesa Transistor）是一種早期半導體器件結構，其名稱可拆解為以下漢英對照及技術解析：

1. 晶膜（Epitaxial Layer）

指通過氣相外延（VPE）技術在單晶襯底上生長的薄層單晶矽。該層雜質濃度可控，用于形成晶體管的集電區，優化高頻特性與擊穿電壓。外延生長可減少襯底雜質對器件性能的影響，提升電流增益 。

2. 增高台（Mesa Structure）

通過光刻和化學蝕刻在晶圓表面形成的凸起平台（形似"台地"）。此結構隔離相鄰器件，防止電極短路。典型工藝需掩模保護台面區域，蝕刻周圍材料至襯底，形成物理隔離 。

3. 晶體管（Transistor）

基于雙極結型晶體管（BJT）原理，由發射極、基極、集電極構成。在晶膜增高台結構中：

• 集電極：輕摻雜外延層，支持高反向電壓
• 基極：通過擴散工藝在台面頂部形成的P型區
• 發射極：高摻雜N+區，注入載流子至基區

  電流放大機制滿足 $beta = frac{I_C}{I_B}$（$beta$為電流增益）。

技術特點與演進

• 優勢：較早期合金晶體管，具有更高截止頻率（$f_T$）和功率處理能力
• 局限：台面蝕刻導緻表面粗糙，漏電流較大，後被平面工藝取代
• 應用：1960年代高頻放大器、開關電路，現代被MOSFET等器件疊代 。

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參考來源

1. Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices (Wiley) 闡述外延層電學特性
2. Jaeger, R.C. Introduction to Microelectronic Fabrication (Prentice Hall) 說明台面蝕刻工藝
3. IEEE Xplore: "Epitaxial Mesa Transistors in Early RF Systems" (DOI:10.1109/PROC.1965.3923) 分析器件性能

網絡擴展解釋

“晶膜增高台晶體管”這一術語，目前尚未在公開技術文獻或行業标準中找到明确定義。根據詞組拆分和半導體領域知識，可嘗試進行以下推測性解釋：

1. 晶膜
   可能指“晶體薄膜”，常用于半導體器件中的絕緣層或導電層（如氮化镓、氧化镓等晶體材料薄膜），通過沉積技術形成納米級結構。

2. 增高台
   或指晶體管的三維結構設計，例如類似FinFET中的“鳍式”高台結構，通過增加溝道表面積來提升器件性能。

3. 組合推測
   該術語可能描述一種新型晶體管設計：在基底上構建增高平台，覆蓋晶體薄膜作為功能層，從而優化載流子遷移率或散熱能力，適用于高頻、高功率場景。

建議：

• 若該術語來自特定文獻或企業技術文檔，請提供更多上下文以便精準解析。
• 可能需确認是否為“晶圓”“薄膜場效應晶體管”等術語的誤寫或組合創新詞。

如需進一步探讨，可補充相關技術背景或應用場景。

分類

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