累增二极体英文解释翻译、累增二极体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 avalanche diode

分词翻译：

累的英语翻译：

accumulate; repeated; tire; weary; work hard

增的英语翻译：

add; gain; increase
【机】 super-

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译：

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

专业解析

累增二极体（Avalanche Diode）是一种特殊设计的半导体二极管，利用雪崩击穿效应（Avalanche Breakdown）工作。当施加的反向偏置电压接近其击穿电压时，载流子在强电场作用下获得足够动能，通过碰撞电离产生大量新的电子-空穴对，形成电流的急剧倍增效应。其核心特征包括：

一、术语定义与物理机制

术语对照
- 中文：累增二极体（台湾常用）、雪崩二极管（大陆常用）
- 英文：Avalanche Diode
  命名源于载流子浓度如“雪崩”般指数级增长的物理现象。
雪崩击穿原理
当反向电压超过临界值（击穿电压）时，载流子被强电场加速，与晶格原子碰撞产生二次电离，形成连锁反应。电流增量由电离系数α决定，满足：

$$ alpha = A e^{-(B/E)^m} $$

其中 ( E ) 为电场强度，( A, B, m ) 为材料常数。

二、关键电气特性

可控击穿特性
通过精确控制掺杂浓度和结深，击穿电压可稳定在数十至数百伏范围，且具有陡峭的击穿曲线（低动态阻抗），适用于精密电压参考。
温度系数
击穿电压随温度变化较小（约±0.1%/℃），优于齐纳二极管，尤其适合高稳定性应用场景。

三、典型应用领域

电路保护
作为瞬态电压抑制器（TVS），在微秒级内泄放浪涌电流（如ESD防护），保护敏感电子设备。
微波振荡与探测
利用雪崩区载流子渡越时间效应，可工作于毫米波频段（如94 GHz），用于雷达信号源及检波器。

四、技术演进与标准参考

现代累增二极体采用硅外延平面工艺，符合JEDEC JESD282-B标准。其可靠性测试依据MIL-STD-750方法，确保高温反向偏置（HTRB）寿命超10万小时。

注：因搜索结果未提供具体网页链接，权威参考文献可延伸阅读：

S.M. Sze《半导体器件物理》（Physics of Semiconductor Devices）第5章

IEEE Transactions on Electron Devices 期刊相关论文

JEDEC固态技术协会标准文档库

网络扩展解释

关于“累增二极体”一词的解释，目前公开的词典和电子工程领域资料中未明确收录该术语。结合现有信息和相关概念推测，可能存在以下两种理解方向：

字面含义推测
“累增”在中文中通常指“累积增加”。若与“二极体”（即二极管，一种半导体元件）结合，可能指某种具有电流或电压累积放大特性的特殊二极管。但需注意，标准电子学术语中并无直接对应的名称。
可能关联的专业术语
- 雪崩二极管（Avalanche Diode）：利用反向偏压下雪崩击穿效应产生载流子倍增现象的二极管，常用于高频振荡或微波领域。
- 齐纳二极管（Zener Diode）：通过反向击穿实现稳压功能，但无显著“累增”特性。

建议：该术语可能为特定领域（如某些文献或地区性用法）的非标准表述，或存在拼写误差（如“累增”应为“倍增”）。如需更精准解释，请提供更多上下文或确认术语准确性。