
【電】 avalanche diode
accumulate; repeated; tire; weary; work hard
add; gain; increase
【機】 super-
twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-
【醫】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte
累增二極體(Avalanche Diode)是一種特殊設計的半導體二極管,利用雪崩擊穿效應(Avalanche Breakdown)工作。當施加的反向偏置電壓接近其擊穿電壓時,載流子在強電場作用下獲得足夠動能,通過碰撞電離産生大量新的電子-空穴對,形成電流的急劇倍增效應。其核心特征包括:
術語對照
命名源于載流子濃度如“雪崩”般指數級增長的物理現象。
雪崩擊穿原理
當反向電壓超過臨界值(擊穿電壓)時,載流子被強電場加速,與晶格原子碰撞産生二次電離,形成連鎖反應。電流增量由電離系數α決定,滿足:
$$ alpha = A e^{-(B/E)^m} $$
其中 ( E ) 為電場強度,( A, B, m ) 為材料常數。
可控擊穿特性
通過精确控制摻雜濃度和結深,擊穿電壓可穩定在數十至數百伏範圍,且具有陡峭的擊穿曲線(低動态阻抗),適用于精密電壓參考。
溫度系數
擊穿電壓隨溫度變化較小(約±0.1%/℃),優于齊納二極管,尤其適合高穩定性應用場景。
電路保護
作為瞬态電壓抑制器(TVS),在微秒級内洩放浪湧電流(如ESD防護),保護敏感電子設備。
微波振蕩與探測
利用雪崩區載流子渡越時間效應,可工作于毫米波頻段(如94 GHz),用于雷達信號源及檢波器。
現代累增二極體采用矽外延平面工藝,符合JEDEC JESD282-B标準。其可靠性測試依據MIL-STD-750方法,确保高溫反向偏置(HTRB)壽命超10萬小時。
注:因搜索結果未提供具體網頁鍊接,權威參考文獻可延伸閱讀:
- S.M. Sze《半導體器件物理》(Physics of Semiconductor Devices)第5章
- IEEE Transactions on Electron Devices 期刊相關論文
- JEDEC固态技術協會标準文檔庫
關于“累增二極體”一詞的解釋,目前公開的詞典和電子工程領域資料中未明确收錄該術語。結合現有信息和相關概念推測,可能存在以下兩種理解方向:
字面含義推測
“累增”在中文中通常指“累積增加”。若與“二極體”(即二極管,一種半導體元件)結合,可能指某種具有電流或電壓累積放大特性的特殊二極管。但需注意,标準電子學術語中并無直接對應的名稱。
可能關聯的專業術語
建議:該術語可能為特定領域(如某些文獻或地區性用法)的非标準表述,或存在拼寫誤差(如“累增”應為“倍增”)。如需更精準解釋,請提供更多上下文或确認術語準确性。
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