拉单晶的英文解释翻译、拉单晶的的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 pulling

分词翻译：

拉的英语翻译：

pull; draw; drag in; draught; haul; pluck
【机】 pull; tension; tractive

单晶的英语翻译：

【计】 single crystal
【化】 monocrystal; single crystal

专业解析

"拉单晶"是材料科学与半导体制造领域的关键工艺术语，指通过定向凝固技术从熔融材料中生长出单一晶体结构的制备方法，英文对应为"single crystal pulling"或"Czochralski process"。该技术通过控制温度梯度、提拉速度和旋转速率，使原子按特定晶格排列，形成无晶界缺陷的完整单晶。

工艺步骤解析：

原料熔融：将高纯度多晶硅等材料在惰性气体环境中加热至熔点以上（硅为1414℃），形成均匀熔体（来源：《半导体材料制备技术》清华大学出版社）。
籽晶引晶：用预先制备的单晶籽晶接触熔体表面，通过精确温度控制引发外延生长（来源：美国材料研究学会技术手册）。
晶体提拉：以0.3-3mm/min速度垂直提拉籽晶，同时辅以5-20rpm旋转确保径向均匀生长（来源：国际晶体生长期刊）。
直径控制：通过自动控制系统维持目标直径（半导体级硅单晶通常150-300mm），误差需小于±1mm（来源：SEMI国际半导体标准M61-0718）。

核心参数公式： $$ v = frac{dh}{dt} = k cdot frac{Delta T}{G} $$ 其中v为提拉速度，ΔT为过冷度，G为温度梯度，k为材料常数。

应用领域：

半导体芯片（单晶硅片占全球晶圆市场92%份额）
光伏产业（单晶硅太阳能电池效率可达26.8%）
激光晶体（如Nd:YAG晶体）
航空航天高温合金叶片（来源：美国能源部2024年先进材料报告）

该技术直接影响器件性能，如12英寸单晶硅片的位错密度需低于10³/cm²，氧含量控制在12-14ppma范围（来源：国际半导体技术路线图2025）。

网络扩展解释

“拉单晶”是半导体材料制造中的一种工艺，特指通过直拉法（Czochralski法）生长单晶硅的过程。以下是详细解释：

1.定义与原理

拉单晶是通过高温熔融多晶硅原料，再以籽晶（单晶种子）为模板，通过旋转和提拉使熔融硅原子按特定晶格排列，最终形成完整单晶硅棒的过程。其核心是控制晶体生长方向，确保原子排列高度有序，形成无晶界缺陷的单晶结构。

2.关键工艺步骤

熔融原料：将高纯度多晶硅加热至1420℃左右，形成熔融态。
籽晶引晶：将籽晶（预先制备的小单晶）浸入熔体，通过缓慢提拉和旋转，诱导硅原子沿籽晶的晶格方向生长。
晶体生长：通过精确控制温度梯度、提拉速度和旋转速度，使熔体逐渐凝固成圆柱形单晶硅棒。

3.单晶特性

拉制出的单晶硅具有：

高度有序结构：原子按金刚石晶格排列，长程和短程均有序。
优异电学性能：导电性随温度升高而增强，可通过掺杂（如硼、磷）形成P型或N型半导体。
低缺陷率：无晶界，适用于高性能半导体器件。

4.应用领域

主要用于半导体芯片和光伏产业，如集成电路、太阳能电池等。

5.与多晶的区别

多晶由多个小单晶无序堆叠而成，存在晶界，电学性能较差；而单晶结构均匀，性能更优。

通过直拉法生产的单晶硅是电子工业的核心材料，其工艺精度直接影响半导体器件的性能。