拉單晶的英文解釋翻譯、拉單晶的的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 pulling

分詞翻譯：

拉的英語翻譯：

pull; draw; drag in; draught; haul; pluck
【機】 pull; tension; tractive

單晶的英語翻譯：

【計】 single crystal
【化】 monocrystal; single crystal

專業解析

"拉單晶"是材料科學與半導體制造領域的關鍵工藝術語，指通過定向凝固技術從熔融材料中生長出單一晶體結構的制備方法，英文對應為"single crystal pulling"或"Czochralski process"。該技術通過控制溫度梯度、提拉速度和旋轉速率，使原子按特定晶格排列，形成無晶界缺陷的完整單晶。

工藝步驟解析：

原料熔融：将高純度多晶矽等材料在惰性氣體環境中加熱至熔點以上（矽為1414℃），形成均勻熔體（來源：《半導體材料制備技術》清華大學出版社）。
籽晶引晶：用預先制備的單晶籽晶接觸熔體表面，通過精确溫度控制引發外延生長（來源：美國材料研究學會技術手冊）。
晶體提拉：以0.3-3mm/min速度垂直提拉籽晶，同時輔以5-20rpm旋轉确保徑向均勻生長（來源：國際晶體生長期刊）。
直徑控制：通過自動控制系統維持目标直徑（半導體級矽單晶通常150-300mm），誤差需小于±1mm（來源：SEMI國際半導體标準M61-0718）。

核心參數公式： $$ v = frac{dh}{dt} = k cdot frac{Delta T}{G} $$ 其中v為提拉速度，ΔT為過冷度，G為溫度梯度，k為材料常數。

應用領域：

半導體芯片（單晶矽片占全球晶圓市場92%份額）
光伏産業（單晶矽太陽能電池效率可達26.8%）
激光晶體（如Nd:YAG晶體）
航空航天高溫合金葉片（來源：美國能源部2024年先進材料報告）

該技術直接影響器件性能，如12英寸單晶矽片的位錯密度需低于10³/cm²，氧含量控制在12-14ppma範圍（來源：國際半導體技術路線圖2025）。

網絡擴展解釋

“拉單晶”是半導體材料制造中的一種工藝，特指通過直拉法（Czochralski法）生長單晶矽的過程。以下是詳細解釋：

1.定義與原理

拉單晶是通過高溫熔融多晶矽原料，再以籽晶（單晶種子）為模闆，通過旋轉和提拉使熔融矽原子按特定晶格排列，最終形成完整單晶矽棒的過程。其核心是控制晶體生長方向，确保原子排列高度有序，形成無晶界缺陷的單晶結構。

2.關鍵工藝步驟

熔融原料：将高純度多晶矽加熱至1420℃左右，形成熔融态。
籽晶引晶：将籽晶（預先制備的小單晶）浸入熔體，通過緩慢提拉和旋轉，誘導矽原子沿籽晶的晶格方向生長。
晶體生長：通過精确控制溫度梯度、提拉速度和旋轉速度，使熔體逐漸凝固成圓柱形單晶矽棒。

3.單晶特性

拉制出的單晶矽具有：

高度有序結構：原子按金剛石晶格排列，長程和短程均有序。
優異電學性能：導電性隨溫度升高而增強，可通過摻雜（如硼、磷）形成P型或N型半導體。
低缺陷率：無晶界，適用于高性能半導體器件。

4.應用領域

主要用于半導體芯片和光伏産業，如集成電路、太陽能電池等。

5.與多晶的區别

多晶由多個小單晶無序堆疊而成，存在晶界，電學性能較差；而單晶結構均勻，性能更優。

通過直拉法生産的單晶矽是電子工業的核心材料，其工藝精度直接影響半導體器件的性能。