
【电】 peak forward-blocking voltage
【医】 prorsad
hold back; impede; prevent; prohibit; detain; restrain; stop
【医】 arrest
【经】 hold back
tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage
peak value
【计】 crest value
【化】 peak; peak value
在电力电子领域,"前向阻止电压峰值"(Forward Blocking Voltage Peak)指半导体器件(如二极管、晶闸管、IGBT)在正向偏置但未导通状态下能承受的最大瞬时反向电压值。其核心含义解析如下:
术语构成解析
技术定义
该参数表征器件在正向阻断模式下承受瞬态过电压的能力,其数值通常高于额定阻断电压。例如IGBT数据手册中标注的"VCES"(Collector-Emitter Voltage)即指集电极-发射极最大可承受峰值电压。
工程意义
该参数直接影响系统可靠性设计。实际应用中需保留20%-30%裕量以应对:
参考国际标准IEC 60747-9对半导体器件的电压耐受测试要求。
测试标准
依据JEDEC JESD24-2标准,测试需在结温Tj=150°C条件下,施加持续时间≤10ms的单次电压脉冲,器件不发生雪崩击穿即为合格。
权威文献参考
- IEEE《电力电子器件与应用指南》(DOI:10.1109/IEEESTD.2020.9083994)第4.3章明确区分了"重复阻断电压"与"非重复峰值电压"的测试场景
- 英飞凌《IGBT技术手册》指出阻断电压峰值需满足:
$$V{CEO} > 1.2 times sqrt{2} times V{grid}$$
其中Vgrid为电网标称电压
建议通过IEEE Xplore或IEC官网获取最新标准原文,或查阅Infineon/ON Semiconductor等厂商的器件数据手册获取具体参数设计规范。
“前向阻止电压峰值”(peak forward-blocking voltage)是电力电子领域术语,主要用于描述半导体器件(如晶闸管、二极管等)在特定条件下的耐受电压能力。以下为详细解释:
指在器件处于正向阻断状态时(即器件未导通但承受正向电压),能够重复施加且不导致击穿的最高瞬时电压值。这一参数反映了器件在阻断状态下承受正向电压的最大能力。
正向阻断状态
当器件(如晶闸管)的阳极与阴极之间加正向电压,但控制极(门极)未触发时,器件处于阻断状态,此时仅有微小漏电流通过,无法导通主电路。
峰值与转折电压的关系
前向阻止电压峰值需低于器件的转折电压(breakover voltage)。若电压超过转折电压,即使未触发门极,器件也可能因击穿而导通,导致失效。
如需进一步了解具体器件的参数(如晶闸管型号对应的数值),建议查阅半导体器件手册或厂商提供的技术文档。
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