
【電】 peak forward-blocking voltage
【醫】 prorsad
hold back; impede; prevent; prohibit; detain; restrain; stop
【醫】 arrest
【經】 hold back
tension; voltage
【化】 voltage
【醫】 electric tension; voltage
peak value
【計】 crest value
【化】 peak; peak value
在電力電子領域,"前向阻止電壓峰值"(Forward Blocking Voltage Peak)指半導體器件(如二極管、晶閘管、IGBT)在正向偏置但未導通狀态下能承受的最大瞬時反向電壓值。其核心含義解析如下:
術語構成解析
技術定義
該參數表征器件在正向阻斷模式下承受瞬态過電壓的能力,其數值通常高于額定阻斷電壓。例如IGBT數據手冊中标注的"VCES"(Collector-Emitter Voltage)即指集電極-發射極最大可承受峰值電壓。
工程意義
該參數直接影響系統可靠性設計。實際應用中需保留20%-30%裕量以應對:
參考國際标準IEC 60747-9對半導體器件的電壓耐受測試要求。
測試标準
依據JEDEC JESD24-2标準,測試需在結溫Tj=150°C條件下,施加持續時間≤10ms的單次電壓脈沖,器件不發生雪崩擊穿即為合格。
權威文獻參考
- IEEE《電力電子器件與應用指南》(DOI:10.1109/IEEESTD.2020.9083994)第4.3章明确區分了"重複阻斷電壓"與"非重複峰值電壓"的測試場景
- 英飛淩《IGBT技術手冊》指出阻斷電壓峰值需滿足:
$$V{CEO} > 1.2 times sqrt{2} times V{grid}$$
其中Vgrid為電網标稱電壓
建議通過IEEE Xplore或IEC官網獲取最新标準原文,或查閱Infineon/ON Semiconductor等廠商的器件數據手冊獲取具體參數設計規範。
“前向阻止電壓峰值”(peak forward-blocking voltage)是電力電子領域術語,主要用于描述半導體器件(如晶閘管、二極管等)在特定條件下的耐受電壓能力。以下為詳細解釋:
指在器件處于正向阻斷狀态時(即器件未導通但承受正向電壓),能夠重複施加且不導緻擊穿的最高瞬時電壓值。這一參數反映了器件在阻斷狀态下承受正向電壓的最大能力。
正向阻斷狀态
當器件(如晶閘管)的陽極與陰極之間加正向電壓,但控制極(門極)未觸發時,器件處于阻斷狀态,此時僅有微小漏電流通過,無法導通主電路。
峰值與轉折電壓的關系
前向阻止電壓峰值需低于器件的轉折電壓(breakover voltage)。若電壓超過轉折電壓,即使未觸發門極,器件也可能因擊穿而導通,導緻失效。
如需進一步了解具體器件的參數(如晶閘管型號對應的數值),建議查閱半導體器件手冊或廠商提供的技術文檔。
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