
【电】 valence bond band
better; by force; make an effort; powerful; strive; strong; stubborn
bond; key
【计】 K; key; keyt
【化】 key; linkage; spline
【医】 bond; key; linkage
belt; bring; strap; strip; take; wear
【计】 tape
【化】 band
【医】 balteum; band; belt; chord; chorda; chordae; chordo-; cingule; cingulum
cord; desmo-; girdle; ribbon; strap; strip; taenia; taenia-; taeniae
tape; teni-; tenia; zona; zone
【经】 belt
在汉英词典视角下,“强键带”通常指材料科学、固体物理或化学领域中描述电子能带结构的一个专业术语,其核心含义和英文对应如下:
英文直译:Strong Bonding Band
专业释义:指在固体能带结构中,由原子间强化学键作用形成的能量区域。该能带中的电子局域性强,能量较低,通常位于价带(Valence Band)深处,与原子核的结合紧密,迁移率较低 。
强键带中的电子受原子核束缚力强,需较高能量才能激发至导带(Conduction Band),因此对材料的电导率贡献较小 。
源于原子轨道(如 $sp$ 杂化轨道)的强重叠,常见于共价键或离子键主导的晶体(如金刚石、二氧化硅)中 。
强键带的位置影响带隙(Band Gap)大小。例如,在硅(Si)晶体中,强键带构成价带顶部,其能量深度决定光电转换效率 。
异质结(如 $mathrm{TiO_2/Si}$)的强键带偏移量是评估界面电子传输性能的关键参数 。
能带类型 | 键合强度 | 电子迁移率 | 典型位置 |
---|---|---|---|
强键带 (Strong Bonding Band) | 高 | 低 | 价带深部 |
弱键带 (Weak Bonding Band) | 低 | 高 | 导带底部或近费米能级 |
权威参考文献来源:
“强键带”这一表述可能存在拼写或术语混淆的情况。以下是几种可能的解释方向,供参考:
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