平面集成电路英文解释翻译、平面集成电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 planar integrated circuit

flat; plane; surface
【医】 flat; plane; planum

integrated circuit
【计】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【经】 integrated circuit

平面集成电路（Planar Integrated Circuit）是指采用平面工艺制造，将多个电子元件（如晶体管、电阻、电容等）及其互连线集成在同一块半导体基片（通常为硅片）上的微型电路结构。以下是详细解释：

汉语释义
"平面"指所有元件均制作在半导体晶圆的同一平面层上，通过氧化、光刻、扩散等工艺实现元件隔离与互连。"集成电路"强调通过微纳加工技术将分立元件高密度集成，形成具备特定功能的电路模块。
英语对应术语
Planar Integrated Circuit：
- Planar 源自1959年Jean Hoerni发明的平面工艺（Planar Process），利用二氧化硅层实现表面钝化与选择性扩散。
- Integrated Circuit 由Jack Kilby（1958年）和Robert Noyce（1959年）独立发明，指单片集成的电路结构。

结构特点
- 所有元件（如双极型晶体管、MOSFET）均通过光刻技术在硅衬底表面制作，元件间通过金属互连线（铝/铜）连接。
- 采用PN结隔离或介质隔离（如SiO₂）避免元件间电学串扰。
关键工艺
- 氧化掩膜：硅片表面生长二氧化硅层，通过光刻开窗实现选择性掺杂（扩散或离子注入）。
- 金属化布线：真空蒸镀或溅射金属层，经蚀刻形成互连导线（见图示）。 来源：《半导体制造技术基础》

IEEE标准定义
根据IEEE Std 100-2000："Planar technology enables the fabrication of all circuit components within a single semiconductor substrate, with interconnections formed by deposited conductive layers."（平面技术实现在单一半导体衬底上制造所有电路元件，互连由沉积导电层构成。）
行业应用
现代CMOS集成电路均基于平面工艺，广泛应用于CPU、存储器等芯片。例如Intel 4004（1971年）首次采用平面工艺量产微处理器。

学术著作
Jaeger, R. C. (2002). Microelectronic Circuit Design. McGraw-Hill. （第3章详述平面工艺步骤）

专利文献
US Patent 3,025,589 (1962) - "Method of Manufacturing Semiconductor Devices"（Hoerni平面工艺专利）

以上内容综合电子工程领域权威文献，确保术语解释的准确性与技术描述的严谨性。

平面集成电路是一种采用平面工艺制造的集成电路，其核心特点是将所有电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在半导体基片的同一平面上，通过光刻、扩散等工艺实现元件间的互连。以下是详细解释：

应用领域：广泛应用于计算机、通信设备、消费电子产品（如手机）等，是现代电子技术的核心。
优势：
- 高可靠性：元件间通过内部金属线路连接，减少外部干扰和故障风险。
- 低成本：平面工艺适合批量制造，降低了单个芯片的成本。
- 低功耗：元件微型化减少了能量损耗。

平面集成电路通过在同一平面上集成电子元件，结合半导体工艺实现了高效、可靠且经济的电路设计。它是现代电子工业的基础技术之一，支撑了从计算机到便携设备的广泛应用。