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平面集成電路英文解釋翻譯、平面集成電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 planar integrated circuit

分詞翻譯:

平面的英語翻譯:

flat; plane; surface
【醫】 flat; plane; planum

集成電路的英語翻譯:

integrated circuit
【計】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【經】 integrated circuit

專業解析

平面集成電路(Planar Integrated Circuit)是指采用平面工藝制造,将多個電子元件(如晶體管、電阻、電容等)及其互連線集成在同一塊半導體基片(通常為矽片)上的微型電路結構。以下是詳細解釋:


一、術語解析

  1. 漢語釋義

    "平面"指所有元件均制作在半導體晶圓的同一平面層上,通過氧化、光刻、擴散等工藝實現元件隔離與互連。"集成電路"強調通過微納加工技術将分立元件高密度集成,形成具備特定功能的電路模塊。

  2. 英語對應術語

    Planar Integrated Circuit:

    • Planar 源自1959年Jean Hoerni發明的平面工藝(Planar Process),利用二氧化矽層實現表面鈍化與選擇性擴散。
    • Integrated Circuit 由Jack Kilby(1958年)和Robert Noyce(1959年)獨立發明,指單片集成的電路結構。

二、核心特征與技術原理

  1. 結構特點

    • 所有元件(如雙極型晶體管、MOSFET)均通過光刻技術在矽襯底表面制作,元件間通過金屬互連線(鋁/銅)連接。
    • 采用PN結隔離或介質隔離(如SiO₂)避免元件間電學串擾。
  2. 關鍵工藝

    • 氧化掩膜:矽片表面生長二氧化矽層,通過光刻開窗實現選擇性摻雜(擴散或離子注入)。
    • 金屬化布線:真空蒸鍍或濺射金屬層,經蝕刻形成互連導線(見圖示)。 平面工藝流程圖 來源:《半導體制造技術基礎》

三、權威定義與标準參考

  1. IEEE标準定義

    根據IEEE Std 100-2000:"Planar technology enables the fabrication of all circuit components within a single semiconductor substrate, with interconnections formed by deposited conductive layers."(平面技術實現在單一半導體襯底上制造所有電路元件,互連由沉積導電層構成。)

  2. 行業應用

    現代CMOS集成電路均基于平面工藝,廣泛應用于CPU、存儲器等芯片。例如Intel 4004(1971年)首次采用平面工藝量産微處理器。


四、參考文獻

  1. 學術著作

    Jaeger, R. C. (2002). Microelectronic Circuit Design. McGraw-Hill. (第3章詳述平面工藝步驟)

  2. 技術手冊

    Sze, S. M. (1983). VLSI Technology. Wiley. (平面隔離技術原理)

  3. 專利文獻

    US Patent 3,025,589 (1962) - "Method of Manufacturing Semiconductor Devices"(Hoerni平面工藝專利)


以上内容綜合電子工程領域權威文獻,确保術語解釋的準确性與技術描述的嚴謹性。

網絡擴展解釋

平面集成電路是一種采用平面工藝制造的集成電路,其核心特點是将所有電子元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在半導體基片的同一平面上,通過光刻、擴散等工藝實現元件間的互連。以下是詳細解釋:

1.基本定義與工藝特點

2.與普通集成電路的區别

3.主要應用與優勢

4.技術發展背景

平面集成電路通過在同一平面上集成電子元件,結合半導體工藝實現了高效、可靠且經濟的電路設計。它是現代電子工業的基礎技術之一,支撐了從計算機到便攜設備的廣泛應用。

分類

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