
【电】 binistor
both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par
certain; firm; steady; sure
【计】 negative impedance
【化】 quadrupole
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
我无法提供基于权威来源的详细解释及引用链接。"双稳负阻四极电晶体"是电子工程领域的专业术语,其核心含义可拆解如下:
术语解析(汉英对照)
双稳 (Bistable)
指器件具有两种稳定的电气状态(如高/低电平),能在外部触发信号作用下切换状态,常用于存储单元或开关电路。
负阻 (Negative Resistance)
器件在特定电压/电流范围内呈现电流增大时电压下降的特性(微分电阻为负值),典型如隧道二极管、单结晶体管等。
四极 (Tetrode / Four-terminal)
指器件包含四个电极(如双栅极场效应管、两端输入/两端输出的开关器件),区别于常规三极管结构。
电晶体 (Transistor)
港台地区对"晶体管"的称谓,泛指半导体放大/开关器件。
综合定义
该术语描述一种具有双稳态切换功能和负阻特性的四电极半导体器件,通过负阻效应实现快速状态翻转,适用于高频振荡器、脉冲发生器或逻辑存储电路。
权威补充说明
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"双稳负阻四极电晶体"是电子学领域的专业术语,其英文对应词为"binistor"。根据现有资料,该术语可拆解为以下三个特性:
双稳特性
指该器件具有两种稳定的电压/电流状态,可通过外部信号在这两种状态间切换,类似触发器(flip-flop)的存储功能,常用于数字电路中的记忆单元。
负阻效应
在特定工作区间内,器件的电流随电压增加反而减小(即ΔV/ΔI为负值),这种特性常见于隧道二极管、单结晶体管等器件,可用于振荡电路或脉冲整形。
四极结构
区别于普通双极型晶体管的三端结构,该器件有四个电极,可能包含阳极、阴极及两个控制极,通过多极设计实现更复杂的控制逻辑。
该术语常见于20世纪60-70年代的电子技术文献,属于早期半导体器件分类。现代集成电路中已较少直接使用此类分立元件,但其原理在晶闸管(SCR)、闸流晶体管等器件中仍有体现。
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