双搀杂晶体管英文解释翻译、双搀杂晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 double-doped transistor

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

搀杂的英语翻译：

gallimaufry; jumble; mingle; mix
【电】 doping

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

双搀杂晶体管（Dual-doped Transistor）是半导体器件领域的一个专业术语，其核心指代双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。这一名称源于其结构中包含两种掺杂类型（N型和P型）的半导体材料，通过载流子（电子与空穴）的双极输运实现电流放大功能。以下是详细解释：

一、术语定义与结构

中文术语：双搀杂晶体管

英文对应：Bipolar Junction Transistor (BJT)

结构特点：

由三层半导体材料构成，形成两个PN结。根据掺杂顺序分为两种类型：

NPN型：两侧为N型掺杂（高浓度电子），中间为P型掺杂（空穴）。
PNP型：两侧为P型掺杂（高浓度空穴），中间为N型掺杂（电子）。

核心机理：

通过基极电流控制集电极-发射极间的大电流，实现电流放大（β值）。掺杂浓度梯度决定了载流子的注入与扩散效率。

二、关键特性与物理过程

掺杂作用：
- 发射极：重掺杂，注入载流子（NPN中发射电子，PNP中发射空穴）。
- 基极：轻掺杂且极薄，减少载流子复合，提高电流增益。
- 集电极：中等掺杂，收集载流子并承受高电压。
工作模式：
- 放大区：基极-发射极正偏，集电极-基极反偏（线性放大）。
- 饱和/截止区：用于开关电路。
双极输运：
电子与空穴同时参与导电，区别于仅依赖单一载流子的场效应晶体管（FET）。

三、技术演进与应用

现代工艺：
高频BJT采用硅锗（SiGe）异质结或磷化铟（InP）材料，提升截止频率（f~T~）。

典型应用：
模拟电路（运算放大器、功率放大）、射频系统及高速开关电路。

四、权威参考文献

半导体器件物理基础
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），第4章详细分析BJT载流子输运模型。

IEEE标准术语库
IEEE Xplore: "Bipolar Transistors"（标准定义与特性参数）。

工艺技术白皮书
IBM Research: "SiGe HBT Technology for RF Applications"（先进掺杂工艺案例）。

中文术语规范
《电子科学技术名词》（科学出版社），"双极晶体管"条目编码 07.032。

注：术语"双搀杂"为早期中文文献对"双极"（Bipolar）的直译，现标准术语为双极晶体管，强调电子与空穴的双极性导电机制。

网络扩展解释

关于“双掺杂晶体管”这一术语，目前没有明确的标准化定义，但根据半导体器件的常见设计逻辑，可以推测其可能指以下两种技术方向：

1.双区域掺杂优化

结构特点：在晶体管的两个关键区域（如基区与发射区、源极与漏极）采用不同掺杂浓度或类型的材料，以提升性能。
应用场景：
- 双极型晶体管（BJT）：发射区高掺杂（N⁺或P⁺）以增强载流子注入，基区轻掺杂（P或N）以减少复合，从而提升电流放大系数。
- MOSFET：源/漏极重掺杂（N⁺/P⁺）降低电阻，沟道区轻掺杂或反型掺杂以控制阈值电压。

2.复合掺杂工艺

技术目的：在同一区域通过两次掺杂（如离子注入）形成梯度掺杂或补偿掺杂，优化电学特性。
示例：
- 基区梯度掺杂：在异质结双极晶体管（HBT）中，基区采用渐变的掺杂浓度，加速载流子渡越，提升高频性能。
- 沟道工程：在先进CMOS工艺中，通过多次掺杂调整沟道载流子迁移率，改善开关速度和功耗。

可能存在的误解

术语混淆：用户可能将“双栅极晶体管”（Dual-Gate FET）或“双极晶体管”（BJT）误称为“双掺杂晶体管”。前者通过双栅极增强控制能力，后者则依赖PN结间的载流子运动。

若需进一步探讨，建议提供具体上下文或应用场景，以便更精准地解析该术语的技术内涵。