雙攙雜晶體管英文解釋翻譯、雙攙雜晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 double-doped transistor

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

攙雜的英語翻譯：

gallimaufry; jumble; mingle; mix
【電】 doping

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

雙攙雜晶體管（Dual-doped Transistor）是半導體器件領域的一個專業術語，其核心指代雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。這一名稱源于其結構中包含兩種摻雜類型（N型和P型）的半導體材料，通過載流子（電子與空穴）的雙極輸運實現電流放大功能。以下是詳細解釋：

一、術語定義與結構

中文術語：雙攙雜晶體管

英文對應：Bipolar Junction Transistor (BJT)

結構特點：

由三層半導體材料構成，形成兩個PN結。根據摻雜順序分為兩種類型：

NPN型：兩側為N型摻雜（高濃度電子），中間為P型摻雜（空穴）。
PNP型：兩側為P型摻雜（高濃度空穴），中間為N型摻雜（電子）。

核心機理：

通過基極電流控制集電極-發射極間的大電流，實現電流放大（β值）。摻雜濃度梯度決定了載流子的注入與擴散效率。

二、關鍵特性與物理過程

摻雜作用：
- 發射極：重摻雜，注入載流子（NPN中發射電子，PNP中發射空穴）。
- 基極：輕摻雜且極薄，減少載流子複合，提高電流增益。
- 集電極：中等摻雜，收集載流子并承受高電壓。
工作模式：
- 放大區：基極-發射極正偏，集電極-基極反偏（線性放大）。
- 飽和/截止區：用于開關電路。
雙極輸運：
電子與空穴同時參與導電，區别于僅依賴單一載流子的場效應晶體管（FET）。

三、技術演進與應用

現代工藝：
高頻BJT采用矽鍺（SiGe）異質結或磷化铟（InP）材料，提升截止頻率（f~T~）。

典型應用：
模拟電路（運算放大器、功率放大）、射頻系統及高速開關電路。

四、權威參考文獻

半導體器件物理基礎
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），第4章詳細分析BJT載流子輸運模型。

IEEE标準術語庫
IEEE Xplore: "Bipolar Transistors"（标準定義與特性參數）。

工藝技術白皮書
IBM Research: "SiGe HBT Technology for RF Applications"（先進摻雜工藝案例）。

中文術語規範
《電子科學技術名詞》（科學出版社），"雙極晶體管"條目編碼 07.032。

注：術語"雙攙雜"為早期中文文獻對"雙極"（Bipolar）的直譯，現标準術語為雙極晶體管，強調電子與空穴的雙極性導電機制。

網絡擴展解釋

關于“雙摻雜晶體管”這一術語，目前沒有明确的标準化定義，但根據半導體器件的常見設計邏輯，可以推測其可能指以下兩種技術方向：

1.雙區域摻雜優化

結構特點：在晶體管的兩個關鍵區域（如基區與發射區、源極與漏極）采用不同摻雜濃度或類型的材料，以提升性能。
應用場景：
- 雙極型晶體管（BJT）：發射區高摻雜（N⁺或P⁺）以增強載流子注入，基區輕摻雜（P或N）以減少複合，從而提升電流放大系數。
- MOSFET：源/漏極重摻雜（N⁺/P⁺）降低電阻，溝道區輕摻雜或反型摻雜以控制阈值電壓。

2.複合摻雜工藝

技術目的：在同一區域通過兩次摻雜（如離子注入）形成梯度摻雜或補償摻雜，優化電學特性。
示例：
- 基區梯度摻雜：在異質結雙極晶體管（HBT）中，基區采用漸變的摻雜濃度，加速載流子渡越，提升高頻性能。
- 溝道工程：在先進CMOS工藝中，通過多次摻雜調整溝道載流子遷移率，改善開關速度和功耗。

可能存在的誤解

術語混淆：用戶可能将“雙栅極晶體管”（Dual-Gate FET）或“雙極晶體管”（BJT）誤稱為“雙摻雜晶體管”。前者通過雙栅極增強控制能力，後者則依賴PN結間的載流子運動。

若需進一步探讨，建議提供具體上下文或應用場景，以便更精準地解析該術語的技術内涵。