逃逸峰英文解释翻译、逃逸峰的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 escape peak

escape; run away
【电】 runaway

apex; apices; hump; peak; summit
【化】 peak
【医】 peak; spike

在汉英词典语境中，"逃逸峰"对应的英文术语为"escape peak"，指质谱分析中由于离子逃逸现象产生的次级信号峰。该现象通常出现在飞行时间质谱仪（TOF-MS）中，当部分高能离子穿透检测器屏蔽层时，会形成滞后于主峰的干扰信号。

根据《分析化学术语标准》（全国科学技术名词审定委员会，2018版），逃逸峰的形成机制与离子动能分布相关。当入射离子动能超过检测器材料的电子结合能时，会产生穿透性电子流，导致检测信号出现时间延迟。这种现象在痕量元素检测中可能影响检测限，需通过优化加速电压或采用脉冲计数技术进行抑制。

国际纯粹与应用化学联合会（IUPAC）建议在质谱图中标注E_peak符号表示逃逸峰，其强度计算公式为： $$ I_e = I_0 cdot e^{-beta t} $$ 其中β为检测器材料的衰减系数，t为离子飞行时间。

逃逸峰是X射线或γ射线能谱分析中的一个特征现象，主要与探测器材料的相互作用有关。以下是综合多来源信息的详细解释：

基本定义
逃逸峰是指在能谱中出现在主峰（全能峰）低能量侧的次级峰。当高能光子（如X射线或γ射线）进入探测器时，若其能量高于探测器材料的吸收限（如硅的K吸收限约1.74 keV），会激发材料原子产生特征X射线（如硅的Ka X射线）。若这些次级X射线逃逸出探测器未被记录，入射光子的总能量会被“扣除”逃逸的X射线能量，从而在能谱上形成逃逸峰。
形成机制

以硅漂移探测器（SDD）为例，当入射光子能量高于硅的K吸收限时，可能激发硅原子产生1.74 keV的Ka X射线。若这部分X射线未被探测器捕获而逃逸，记录的信号能量将比入射光子实际能量低1.74 keV，形成与主峰能量差固定的逃逸峰。
在锗（Ge）探测器中，逃逸峰的能量差为Ge的Kα能量（约9.8-10 keV），因此逃逸峰与主峰的能量差更大。

碘逃逸峰：特指含碘探测器（如NaI闪烁体）中碘的Kα X射线（约28-29 keV）逃逸形成的峰，与主峰能量差约29 keV。
单/双逃逸峰：常见于高能γ射线（如正电子湮灭产生的511 keV光子）与探测器作用时，若一个或两个湮灭光子逃逸，形成能量差为511 keV或1022 keV的峰，与X射线逃逸峰机制不同。