逃逸峰英文解釋翻譯、逃逸峰的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 escape peak

escape; run away
【電】 runaway

apex; apices; hump; peak; summit
【化】 peak
【醫】 peak; spike

在漢英詞典語境中，"逃逸峰"對應的英文術語為"escape peak"，指質譜分析中由于離子逃逸現象産生的次級信號峰。該現象通常出現在飛行時間質譜儀（TOF-MS）中，當部分高能離子穿透檢測器屏蔽層時，會形成滞後于主峰的幹擾信號。

根據《分析化學術語标準》（全國科學技術名詞審定委員會，2018版），逃逸峰的形成機制與離子動能分布相關。當入射離子動能超過檢測器材料的電子結合能時，會産生穿透性電子流，導緻檢測信號出現時間延遲。這種現象在痕量元素檢測中可能影響檢測限，需通過優化加速電壓或采用脈沖計數技術進行抑制。

國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）建議在質譜圖中标注E_peak符號表示逃逸峰，其強度計算公式為： $$ I_e = I_0 cdot e^{-beta t} $$ 其中β為檢測器材料的衰減系數，t為離子飛行時間。

逃逸峰是X射線或γ射線能譜分析中的一個特征現象，主要與探測器材料的相互作用有關。以下是綜合多來源信息的詳細解釋：

基本定義
逃逸峰是指在能譜中出現在主峰（全能峰）低能量側的次級峰。當高能光子（如X射線或γ射線）進入探測器時，若其能量高于探測器材料的吸收限（如矽的K吸收限約1.74 keV），會激發材料原子産生特征X射線（如矽的Ka X射線）。若這些次級X射線逃逸出探測器未被記錄，入射光子的總能量會被“扣除”逃逸的X射線能量，從而在能譜上形成逃逸峰。
形成機制

以矽漂移探測器（SDD）為例，當入射光子能量高于矽的K吸收限時，可能激發矽原子産生1.74 keV的Ka X射線。若這部分X射線未被探測器捕獲而逃逸，記錄的信號能量将比入射光子實際能量低1.74 keV，形成與主峰能量差固定的逃逸峰。
在鍺（Ge）探測器中，逃逸峰的能量差為Ge的Kα能量（約9.8-10 keV），因此逃逸峰與主峰的能量差更大。

碘逃逸峰：特指含碘探測器（如NaI閃爍體）中碘的Kα X射線（約28-29 keV）逃逸形成的峰，與主峰能量差約29 keV。
單/雙逃逸峰：常見于高能γ射線（如正電子湮滅産生的511 keV光子）與探測器作用時，若一個或兩個湮滅光子逃逸，形成能量差為511 keV或1022 keV的峰，與X射線逃逸峰機制不同。