光刻膠英文解釋翻譯、光刻膠的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 photoresist

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-

a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription

glue; gluey; mucus; pastern; sticky
【醫】 gloea; glue

光刻膠（Photoresist）是半導體制造和微電子加工中的核心材料，其英文術語由"photo-"（光）和"resist"（抗蝕劑）構成，指通過光照産生化學性質變化的感光性聚合物材料。根據《牛津材料科學詞典》定義，該物質在曝光後通過顯影工藝可形成精密微結構模闆。

在技術特性上，光刻膠可分為兩大體系：

正性光刻膠（Positive Photoresist）：曝光區域在顯影時溶解，未曝光部分保留，適用于高精度圖案制作（來源：美國化學學會《材料研究評論》）
負性光刻膠（Negative Photoresist）：曝光區域交聯固化，未曝光部分被溶解，具有更好的機械穩定性（參考：國際電氣與電子工程師協會《微加工技術标準》）

該材料的性能參數直接影響芯片制程，包括：

全球半導體行業協會(SEMI)數據顯示，193nm ArF光刻膠占據當前主流市場份額，而EUV光刻膠正在7nm以下節點加速普及。材料配方通常包含光敏劑、樹脂基體和溶劑三大組分，其成分比例屬于企業核心機密（來源：《先進電子材料》期刊2024年産業報告）。

光刻膠（Photoresist），又稱光緻抗蝕劑或光阻劑，是一種具有光敏特性的高分子聚合物材料，在微細加工技術中用于圖形轉移的關鍵材料。以下從多個維度詳細解釋其特性與應用：

光刻膠通過紫外光、電子束或X射線等照射後，其溶解度會發生變化。液态光刻膠塗覆于基片（如半導體矽片）表面，經曝光和烘烤後固化，形成保護性薄膜，實現掩膜版圖形到基片的轉移。其核心特性包括光敏性和耐蝕性。

在光刻工藝中，光刻膠通過選擇性曝光實現圖形轉移：

光刻膠廣泛應用于高精度制造領域：

光刻膠的性能直接影響芯片制程精度，例如分辨率、敏感度等參數需與光源波長匹配。當前高端光刻膠技術由少數企業壟斷，是半導體産業“卡脖子”材料之一。

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