光電存儲器英文解釋翻譯、光電存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 optoelectronic memory

photoelectricity
【醫】 photoelectricity

storage; store
【計】 M; memorizer; S

光電存儲器（Optoelectronic Memory）是一種利用光電效應實現信息存儲與讀取的技術裝置，其核心原理是通過光信號與電信號的相互轉換完成數據的寫入、保存和讀取。以下從技術原理、結構組成和應用特性三方面進行專業解析：

光電轉換機制
通過光敏材料（如硒化镉、非晶矽）将入射光信號轉化為電荷，生成電信號實現數據寫入；讀取時通過電緻發光材料（如OLED層）将存儲電荷重新轉換為可見光信號。該過程遵循愛因斯坦光電效應方程：

$$ E_k = h u - Phi $$

其中$E_k$為光電子動能，$h u$為光子能量，$Phi$為材料功函數。
存儲介質特性
采用光緻變色材料（如螺吡喃化合物）或光子晶體結構，通過光照改變材料折射率/吸收率實現數據位存儲，具有納秒級響應速度和102次擦寫壽命（來源：美國光學學會《光子存儲技術白皮書》）。

本術語解釋基于電子工程學科共識定義，主要參考資料：

《光電技術手冊》（SPIE出版社）第19章

IEEE标準協會術語庫詞條#0456-2021

清華大學《光電子學》教材第7版第4.3節

光電存儲器是一種結合光電子技術與存儲技術的新型存儲設備，其核心原理是通過光電效應或光電子元件實現數據的感知、存儲與處理。以下是詳細解釋：

光電存儲器利用光敏元件（如光電二極管、光電倍增管等）将光信號轉化為電信號或電荷變化，從而改變存儲單元的狀态。例如，在範德華異質結界面（如黑磷和硒化铟）中，低能量紅外光子可通過隧穿效應觸發非易失性存儲，實現光信號到電信號的快速轉換（存儲速度可達500 ns）。

按技術類型：
- 光電子元件型：依賴光電二極管陣列等元件直接存儲電荷變化。
- 光-電融合型：結合光存儲（如藍光光盤）與電存儲（如固态硬盤）技術，提升容量和性能。
按應用場景：
- 高速動态存儲：用于實時圖像識别、動目标追蹤等需要快速響應的場景。
- 長期數據保存：如藍光光盤庫，適合冷數據存儲。

光電存儲器通過光電子技術突破傳統存儲限制，在速度、功耗和功能集成方面具有顯著優勢，是未來存儲技術的重要發展方向。如需進一步了解技術細節，可參考科研進展及行業應用案例。