
【電】 photoconductivity
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-
conduct
【化】 conduction
【醫】 conduction; dromo-; transmission
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.
光傳導率(光伝導率/guāng chuán dǎo lǜ)是光學與材料科學交叉領域的核心參數,其英文對應術語為"photoconductivity coefficient",特指材料在光照條件下導電能力變化的量化指标。該概念最早由美國物理學家Willoughby Smith于1873年在硒材料的光敏特性實驗中發現。
從物理機制分析,光傳導率由材料内部載流子(電子與空穴)的光緻激發效率決定,其數學表達式可表示為: $$ sigma_{ph} = q(mu_n Delta n + mu_p Delta p) $$ 其中q為基本電荷量,μ_n和μ_p分别代表電子與空穴遷移率,Δn和Δp是光生載流子濃度增量。該公式被收錄于《半導體器件物理》(施敏著)第三章。
在工程應用中,光傳導率參數直接影響光電探測器、太陽能電池等器件的響應速度與轉換效率。根據美國國家标準技術研究院(NIST)2023年發布的檢測報告,矽基材料在标準測試條件(AM1.5G光照)下的典型光傳導率範圍為10⁻⁴至10⁻² S/cm。
現代材料學通過能帶工程調控光傳導率特性,例如鈣钛礦材料通過有機-無機雜化結構設計,可将光響應度提升至傳統矽基材料的3倍以上。這一突破被《自然·材料》2024年刊載的綜述論文重點論述。
光傳導率(Photoconductivity)是指材料在受到光照時導電性能發生變化的特性。這一現象屬于光電導效應,常見于半導體、絕緣體等材料中。以下是關鍵點解析:
基本概念
當材料吸收光子能量後,其内部電子被激發到更高能級,形成自由電子或空穴,從而增強導電性。這種因光照導緻的電導率變化即稱為光傳導率。
應用領域
光傳導率是光敏元件(如光敏電阻、光電探測器)的核心原理,廣泛應用于光控開關、太陽能電池、光學傳感器等領域。
相關術語
英文對應詞為photoconductivity,與普通電導率(conductivity)的區别在于其受光照調控的特性。
物理機制
光激發産生的載流子(電子-空穴對)增加了材料的導電能力,具體變化程度取決于光照強度、波長及材料本身的能帶結構。
若需進一步了解光電導效應的數學表達式或實驗測量方法,可參考光電物理學相關文獻。
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