非晶态半導體英文解釋翻譯、非晶态半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 amorphous semiconductor

分詞翻譯：

非晶态的英語翻譯：

【化】 amorphous material

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

非晶态半導體（Amorphous Semiconductor）是指原子排列缺乏長程有序性的一類半導體材料，其微觀結構呈現短程有序而長程無序的特征。這類材料與晶态半導體（如單晶矽）的主要區别在于缺乏周期性晶格結構，其電子能帶結構中存在大量局域态，導緻載流子遷移率較低。

在應用領域，非晶态半導體因制備工藝簡單、成本低等優勢，被廣泛用于薄膜太陽能電池（如氫化非晶矽a-Si:H）、平闆顯示器（TFT-LCD驅動層）和光電傳感器。美國能源部可再生能源實驗室的研究表明，非晶矽薄膜電池在弱光環境下轉換效率可達8-10%。

典型材料體系包括：

1. 硫系玻璃（如As₂Se₃）
2. 氧化物玻璃（如IGZO）
3. 氫化非晶矽（a-Si:H）

目前該領域的前沿研究集中在缺陷态調控和界面工程，劍橋大學卡文迪許實驗室通過摻雜技術成功将非晶氧化物半導體遷移率提升至15 cm²/(V·s)。斯坦福大學材料系2024年的研究進一步揭示了非晶材料中電子-聲子耦合效應對器件穩定性的影響機制。

網絡擴展解釋

非晶态半導體是一種具有半導體性質的非晶态材料，其原子排列缺乏長程有序性，但保留短程有序性（如鍵長、鍵角相對固定）。以下是其核心特點及分類：

一、基本定義

1. 結構特征
   非晶态半導體屬于非晶體，原子排列長程無序（無周期性結構），但局部存在短程有序（如共價鍵的鍵長和鍵角接近晶态半導體）。
2. 與晶态半導體的區别
   晶态半導體具有規則的原子周期性排列，而非晶态半導體因結構無序導緻電子遷移率較低，導電機制更複雜。

二、主要類型

1. 四面體鍵非晶态半導體
   以非晶矽（a-Si）、非晶鍺（a-Ge）為代表，通過共價鍵形成四面體結構，但鍵長和鍵角存在畸變。
2. 硫系非晶态半導體
   含硫、硒、碲等元素（如As₂Se₃、As₂S₃），因孤對電子存在，也稱為玻璃半導體或硫系玻璃。

三、電子特性

1. 電子态分類
   • 擴展态：電子可在材料整體範圍内運動，類似晶态半導體中的導電機制。
   • 局域态：電子被限制在局部區域，需通過聲子輔助實現跳躍式導電。
2. 能帶結構
   因結構無序，帶隙中存在大量缺陷态，影響載流子遷移率和光電性能。

四、應用領域

1. 太陽能電池
   非晶矽因制備工藝簡單、光吸收效率高，廣泛用于低成本薄膜太陽能電池。
2. 電子器件
   用于存儲器（如電可改寫主讀存儲器）、液晶顯示屏、光傳感器等。
3. 複印技術
   硫系玻璃在早期複印機中發揮關鍵作用。

五、研究意義

非晶态半導體突破了晶态材料的制備限制，在柔性電子、大面積器件等領域潛力顯著，但性能調控仍是技術難點。

如需進一步了解制備方法或具體案例，可參考相關文獻或權威資料。

分類

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