
【化】 amorphous semiconductor
【化】 amorphous material
semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor
非晶态半导体(Amorphous Semiconductor)是指原子排列缺乏长程有序性的一类半导体材料,其微观结构呈现短程有序而长程无序的特征。这类材料与晶态半导体(如单晶硅)的主要区别在于缺乏周期性晶格结构,其电子能带结构中存在大量局域态,导致载流子迁移率较低。
在应用领域,非晶态半导体因制备工艺简单、成本低等优势,被广泛用于薄膜太阳能电池(如氢化非晶硅a-Si:H)、平板显示器(TFT-LCD驱动层)和光电传感器。美国能源部可再生能源实验室的研究表明,非晶硅薄膜电池在弱光环境下转换效率可达8-10%。
典型材料体系包括:
目前该领域的前沿研究集中在缺陷态调控和界面工程,剑桥大学卡文迪许实验室通过掺杂技术成功将非晶氧化物半导体迁移率提升至15 cm²/(V·s)。斯坦福大学材料系2024年的研究进一步揭示了非晶材料中电子-声子耦合效应对器件稳定性的影响机制。
非晶态半导体是一种具有半导体性质的非晶态材料,其原子排列缺乏长程有序性,但保留短程有序性(如键长、键角相对固定)。以下是其核心特点及分类:
非晶态半导体突破了晶态材料的制备限制,在柔性电子、大面积器件等领域潜力显著,但性能调控仍是技术难点。
如需进一步了解制备方法或具体案例,可参考相关文献或权威资料。
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