
【計】 EEROM; electrically-erasable ROM
electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
【計】 erasable read-only memory
電可擦隻讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱EEPROM)是一種非易失性存儲器技術,其核心特性在于可通過施加特定電壓實現數據的擦除與重寫,同時斷電後仍能長期保存數據。該技術采用浮栅晶體管結構,電荷通過量子隧穿效應被注入或移出存儲單元,這一物理機制使其區别于紫外線擦除的EPROM和塊擦除的Flash存儲器。
在工程應用中,EEPROM支持字節級操作,典型擦寫次數可達10至10次,數據保存期限超過10年。其工作電壓範圍通常為1.8V至5V,存儲密度從1Kbit到1Mbit不等,廣泛應用于嵌入式系統參數存儲、消費電子産品固件配置、汽車電子控制單元(ECU)等領域。根據IEEE标準協會的研究,現代EEPROM芯片的功耗較早期産品降低了60%,擦寫速度提升至毫秒級,顯著增強了工業物聯網設備的運行效率。
權威技術文獻顯示,Microchip Technology等半導體制造商已開發出支持I²C和SPI接口的系列産品,這類器件在航天器數據記錄系統和醫療設備校準參數存儲中發揮着關鍵作用。美國國家儀器(NI)的測試報告證實,新一代EEPROM在-40℃至125℃的寬溫範圍内仍能保持穩定的數據完整性。
電可擦隻讀存儲器(EEPROM,全稱Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一種非易失性存儲器芯片,其核心特點是通過電子信號實現數據的擦除和編程。以下是詳細解析:
EEPROM屬于ROM(隻讀存儲器)的改進類型,支持在電路闆上直接通過電壓操作進行數據改寫。與需要紫外線擦除的EPROM不同,它無需物理拆卸即可完成擦寫操作,且斷電後數據仍能長期保存(部分型號可達100年)。
提示:如需了解具體型號(如AT24C02)的技術參數,可查閱的模塊使用說明。
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