
【计】 EEROM; electrically-erasable ROM
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
【计】 erasable read-only memory
电可擦只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,简称EEPROM)是一种非易失性存储器技术,其核心特性在于可通过施加特定电压实现数据的擦除与重写,同时断电后仍能长期保存数据。该技术采用浮栅晶体管结构,电荷通过量子隧穿效应被注入或移出存储单元,这一物理机制使其区别于紫外线擦除的EPROM和块擦除的Flash存储器。
在工程应用中,EEPROM支持字节级操作,典型擦写次数可达10至10次,数据保存期限超过10年。其工作电压范围通常为1.8V至5V,存储密度从1Kbit到1Mbit不等,广泛应用于嵌入式系统参数存储、消费电子产品固件配置、汽车电子控制单元(ECU)等领域。根据IEEE标准协会的研究,现代EEPROM芯片的功耗较早期产品降低了60%,擦写速度提升至毫秒级,显著增强了工业物联网设备的运行效率。
权威技术文献显示,Microchip Technology等半导体制造商已开发出支持I²C和SPI接口的系列产品,这类器件在航天器数据记录系统和医疗设备校准参数存储中发挥着关键作用。美国国家仪器(NI)的测试报告证实,新一代EEPROM在-40℃至125℃的宽温范围内仍能保持稳定的数据完整性。
电可擦只读存储器(EEPROM,全称Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一种非易失性存储器芯片,其核心特点是通过电子信号实现数据的擦除和编程。以下是详细解析:
EEPROM属于ROM(只读存储器)的改进类型,支持在电路板上直接通过电压操作进行数据改写。与需要紫外线擦除的EPROM不同,它无需物理拆卸即可完成擦写操作,且断电后数据仍能长期保存(部分型号可达100年)。
提示:如需了解具体型号(如AT24C02)的技术参数,可查阅的模块使用说明。
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