電荷耦合存儲器英文解釋翻譯、電荷耦合存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 charge-coupled memory

【電】 charge coupling

storage; store
【計】 M; memorizer; S

電荷耦合存儲器（Charge-Coupled Device，簡稱CCD）是一種基于半導體技術的電荷轉移器件，其核心功能是通過電勢阱的時序控制實現電荷包的定向移動與存儲。該技術由貝爾實驗室的威拉德·博伊爾和喬治·史密斯于1969年發明，并于2009年獲得諾貝爾物理學獎。

從結構組成看，CCD由規則排列的金屬-氧化物-半導體（MOS）電容單元陣列構成。每個像素單元通過施加周期性時鐘脈沖電壓，在矽基底表面形成可存儲少數載流子的勢阱。電荷包在相鄰單元間的轉移效率可達99.999%，這種特性使其在圖像傳感領域具有獨特優勢。

工程應用方面，CCD存儲器主要服務于三大領域：

《IEEE電子器件彙刊》的最新研究指出，雖然CMOS圖像傳感器已部分替代CCD，但在要求超低暗電流（<10 pA/cm²）和超高動态範圍（>90 dB）的專業領域，背照式CCD仍保持技術優勢。美國國家航空航天局（NASA）的深空探測器持續采用輻射硬化型CCD進行星際影像采集，印證了該技術的可靠性。

電荷耦合存儲器（Charge-Coupled Device Memory，簡稱CCD存儲器）是一種基于電荷耦合器件（CCD）技術的半導體存儲器，其核心原理是通過電荷的存儲和定向傳輸實現數據存取。以下從多個維度進行詳細解釋：

電荷耦合存儲器利用半導體表面或體内的勢阱存儲電荷包，通過周期性時鐘脈沖控制電荷的定向移動，實現數據的串行傳輸。它屬于半導體串行存儲器的一種，數據按一維結構順序讀取，類似于磁帶或移位寄存器的特性。

電荷耦合存儲器是早期半導體存儲技術的重要分支，其設計理念在成像和特定信號處理領域仍有影響，但作為存儲介質已非主流。