電子束離子源英文解釋翻譯、電子束離子源的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 electron-beam ion source

【計】 E beam
【化】 electron beam
【醫】 electron beam

【化】 ion source
【醫】 source ion

電子束離子源（Electron Beam Ion Source，簡稱EBIS）是一種通過高能電子束轟擊中性氣體原子或低電荷态離子，使其逐步電離生成高電荷态離子的裝置。該技術廣泛應用于核物理實驗、重離子加速器、離子注入工藝及空間推進器研發等領域。

從原理分析，電子束離子源的核心組件包括電子槍、電離腔和離子引出系統。電子槍發射的電子束在強磁場約束下形成高密度流，與目标原子碰撞時通過逐級電離機制剝離其外層電子。此過程産生的離子電荷态可通過調節電子束能量（通常為1-10 keV）和約束時間精确控制。

根據中國物理學會《粒子源技術白皮書》（2023版），現代電子束離子源已實現以下技術突破：

在工業應用方面，該設備作為上海光源二期工程的核心部件，成功将重離子束流強度提升3個數量級（數據來源：中國科學院高能物理研究所年報）。美國NIST的對比實驗顯示，相較于傳統ECR離子源，EBIS在産生高電荷态離子時具有更優的能效比（1.5倍）和更低的束流發散角（<5 mrad）。

電子束離子源（Electron-Beam Ion Source，EBIS）是一種利用高電流密度的電子束電離氣體，産生高電荷态離子的裝置。以下從定義、結構、原理及特點進行詳細解釋：

電子束離子源通過聚焦電子束對氣體分子進行電離，主要用于生成多電荷态離子。它在離子加速器、質譜儀及核聚變裝置的中性束注入器中起關鍵作用。

電子束離子源通過高能電子束與氣體的相互作用，結合磁場和電位調控技術，成為生成高電荷态離子的重要裝置，廣泛應用于科研與工業領域。