點陣能英文解釋翻譯、點陣能的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 lattice energy

分詞翻譯：

點陣的英語翻譯：

lattice
【計】 dot matrix; wire matrix
【化】 lattice
【醫】 lattice

能的英語翻譯：

ability; able; be able to; can; capable; energy; skill
【化】 energy
【醫】 energy

專業解析

點陣能（Lattice Energy）是固體物理學與材料化學中的核心概念，指在标準條件下将1摩爾離子晶體解離為氣态自由離子所需的能量。它反映了離子間靜電作用的強度，是衡量晶體穩定性的重要指标。

從漢英詞典角度解析，點陣能的英文對應詞為“Lattice Energy”，《牛津材料科學詞典》将其定義為：“The energy required to separate the ions of a crystal into isolated ions at infinite distance.” 該能量通常以負值表示，絕對值越大表明晶體結構越穩定。

其計算公式基于玻恩-蘭德爾方程（Born-Landé equation）： $$ E = frac{N_A M z^+ z^- e}{4pivarepsilon_0 r_0} left(1 - frac{1}{n}right) $$ 其中$N_A$為阿伏伽德羅常數，$M$為馬德隆常數，$z$為離子電荷數，$r_0$為離子間距，$n$為玻恩指數。國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）建議該公式適用于理想離子晶體模型（來源：IUPAC Technical Reports）。

影響因素包含：

離子電荷量：電荷量倍增可使點陣能增加四倍
離子半徑：半徑縮小10%可使能量提升約20%
晶體結構類型：NaCl型比CsCl型通常具有更高點陣能（數據引自《固體物理基礎》第7版，Wiley出版社）

在工業應用中，點陣能數據被用于預測材料熔點（如MgO熔點2852°C對應高點陣能）、設計耐火材料，以及優化锂離子電池電極材料的離子遷移勢壘（來源：Nature Materials, 2018年度綜述）。

網絡擴展解釋

點陣能（又稱晶格能）是描述離子晶體穩定性的重要物理量，具體解釋如下：

一、定義與物理意義

點陣能指在标準狀态下（101.325kPa，25℃），由相互遠離的氣态正、負離子結合形成1mol離子晶體時所釋放的能量（）。其物理意義體現在：

能量釋放：反映離子鍵的強度，點陣能越大，離子鍵越強，晶體越穩定。
逆過程意義：也可理解為破壞1mol離子晶體使其完全分離為自由氣态離子所需消耗的能量。

二、影響因素

點陣能的大小主要由以下因素決定（）：

離子電荷：電荷越高（如Ca²⁺ vs Na⁺），靜電引力越強，點陣能越大。
離子半徑：半徑越小（如F⁻ vs I⁻），離子間距越小，作用力越強，點陣能越大。
晶體結構類型：不同結構（如NaCl型、CsCl型）因離子排列方式差異影響點陣能。

三、與其他概念的區别

結合能：結合能範圍更廣，包括原子核結合能等；點陣能特指離子晶體形成時的能量變化（）。
分子晶體點陣能：分子間作用力較弱，點陣能遠低于離子晶體（如N₂分子晶體點陣能僅7.1kJ/mol，NaCl則達757.3kJ/mol）（）。

四、計算與應用

通過玻恩-朗德公式可理論計算點陣能，公式為： $$ U = frac{N_A alpha z^+ z^- e}{4pi varepsilon_0 r_0} left(1 - frac{1}{n}right) $$ 其中$z^+$、$z^-$為離子電荷，$r_0$為離子間距，$n$為玻恩指數（）。實驗上可通過玻恩-哈伯循環結合升華熱、電離能等數據間接測定（）。

五、典型示例

NaCl：點陣能約757.3kJ/mol，體現高穩定性。
MgO：因Mg²⁺和O²⁻電荷高、半徑小，點陣能高達3795kJ/mol（）。