存儲周期時間英文解釋翻譯、存儲周期時間的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory cycle time; storage cycle time

分詞翻譯：

存儲的英語翻譯：

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

周期時間的英語翻譯：

【計】 periodic time
【化】 generation time

專業解析

存儲周期時間（Storage Cycle Time）是計算機存儲技術領域的核心參數，指存儲器從啟動一次完整讀寫操作到準備執行下一次操作所需的最短時間間隔，通常以納秒（ns）為單位計量。該術語對應的英文表述為"storage cycle time"或"memory cycle time"，在《英漢計算機詞典（第四版）》（清華大學出版社）中被明确定義為"存儲器完成完整存取周期所需的時間"。

從技術實現層面，存儲周期時間包含三個關鍵階段：

尋址階段：存儲器接收地址信號并定位目标存儲單元，參考《半導體存儲器設計原理》（電子工業出版社）第三章
數據存取階段：完成數據讀取或寫入操作，該過程受存儲介質物理特性限制
恢複階段：存儲單元恢複至穩定狀态，确保後續操作可靠性，依據GB/T 5271.12-2000《信息技術詞彙第12部分：存儲器》

在動态隨機存儲器（DRAM）等易失性存儲器中，存儲周期時間直接影響内存帶寬計算，計算公式為：

帶寬 = frac{數據位寬}{存儲周期時間} times 時鐘頻率

該公式在IEEE Std 1800-2017系統級芯片設計标準中有詳細推導說明。

網絡擴展解釋

存儲周期時間（Memory Cycle Time）是指存儲器連續啟動兩次獨立的讀或寫操作所需的最短時間間隔，是衡量主存性能的關鍵指标。以下是詳細解釋：

1.定義與核心概念

存儲周期包含兩次獨立操作（如連續兩次讀/寫）的完整過程，需滿足以下條件：
- 存取時間（TA）：從發出讀/寫命令到數據穩定傳輸完成的時間（如、3、4提到）。
- 恢複時間：完成一次操作後，存儲器電路恢複到可執行下一次操作的穩定狀态所需的時間（如指出存儲周期=存取時間+恢複時間）。

2.與存取時間的區别

存取時間：僅指單次操作完成的時間（例如一次讀或寫）。
存儲周期：必須大于等于存取時間，因為它包含兩次操作間的間隔和恢複時間（如、3、6對比說明）。

3.技術參數與影響

單位：通常以納秒（ns）衡量，常見範圍是60ns-120ns。
性能意義：存儲周期越短，存儲器速度越快，系統整體效率越高。

4.實際應用中的理解

在總線操作中，存儲周期直接影響數據傳輸速率（如提到總線周期與存儲周期的關聯）。
例如：若存儲周期為100ns，表示每秒可執行約1000萬次連續操作（1秒/100ns=10次）。

存儲周期時間反映了存儲器連續工作的能力，而非單次操作速度。它是計算機設計中選擇内存模塊的重要參數，需結合存取時間和恢複時間綜合評估性能。