
【計】 bubble trap
【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble
defect; fall; get stuck; pitfall; sink; trap; frame; deficiency
orderly; well
【醫】 well
磁泡陷井(magnetic bubble trap)是磁泡存儲器中的關鍵功能單元,主要用于限制和控制磁泡(magnetic bubble)的位移路徑,防止其非預期擴散。磁泡是磁性薄膜材料中形成的圓柱形磁疇,通過外磁場控制可實現二進制數據的存儲與讀取。
在技術原理上,磁泡陷井通過設計特定磁場梯度或材料缺陷結構,形成局部能量勢阱,使磁泡穩定在預定位置。這種結構常采用坡莫合金(Permalloy)或石榴石薄膜(garnet film)制造,利用其高磁導率特性引導磁泡運動。根據《電子工程術語手冊》(科學出版社,2019),磁泡陷井的性能直接影響存儲器密度與數據可靠性,早期應用于1970-1980年代的計算機非易失性存儲設備。
該術語的英文表述在不同文獻中存在細微差異。IEEE标準術語庫中将其定義為"magnetic domain confinement structure",而《英漢電子工程詞典》(電子工業出版社,2020)則采用"bubble trapping mechanism"作為等效翻譯。需注意與"magnetic domain wall trap"(磁疇壁陷井)等鄰近概念區分,後者作用于磁疇邊界而非完整磁疇體。
關于“磁泡陷井”這一表述,目前可查的權威信息有限,但結合相關搜索結果可進行以下分析:
術語拆分與初步解釋
可能的專業含義推測
現有資料中未明确提及“磁泡陷井”這一術語。若結合兩者含義,可能指:
需注意的潛在問題
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