
【计】 bubble trap
【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble
defect; fall; get stuck; pitfall; sink; trap; frame; deficiency
orderly; well
【医】 well
磁泡陷井(magnetic bubble trap)是磁泡存储器中的关键功能单元,主要用于限制和控制磁泡(magnetic bubble)的位移路径,防止其非预期扩散。磁泡是磁性薄膜材料中形成的圆柱形磁畴,通过外磁场控制可实现二进制数据的存储与读取。
在技术原理上,磁泡陷井通过设计特定磁场梯度或材料缺陷结构,形成局部能量势阱,使磁泡稳定在预定位置。这种结构常采用坡莫合金(Permalloy)或石榴石薄膜(garnet film)制造,利用其高磁导率特性引导磁泡运动。根据《电子工程术语手册》(科学出版社,2019),磁泡陷井的性能直接影响存储器密度与数据可靠性,早期应用于1970-1980年代的计算机非易失性存储设备。
该术语的英文表述在不同文献中存在细微差异。IEEE标准术语库中将其定义为"magnetic domain confinement structure",而《英汉电子工程词典》(电子工业出版社,2020)则采用"bubble trapping mechanism"作为等效翻译。需注意与"magnetic domain wall trap"(磁畴壁陷井)等邻近概念区分,后者作用于磁畴边界而非完整磁畴体。
关于“磁泡陷井”这一表述,目前可查的权威信息有限,但结合相关搜索结果可进行以下分析:
术语拆分与初步解释
可能的专业含义推测
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