磁泡疇壁遷移率英文解釋翻譯、磁泡疇壁遷移率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 domainwall mobility of magnetic bubble

分詞翻譯：

磁泡的英語翻譯：

【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

疇壁的英語翻譯：

【計】 domain wall

遷移率的英語翻譯：

【化】 mobility; mobility ratio

專業解析

磁泡疇壁遷移率（Magnetic Bubble Domain Wall Mobility）是磁性材料物理學中的重要概念，用于描述磁泡疇壁在外加驅動場作用下的運動特性。以下從術語構成角度進行詳細解釋：

一、術語分解與漢英對照

磁泡 (Magnetic Bubble)
指磁性薄膜中形成的圓柱形磁疇，其磁化方向與周圍區域相反。該結構因其在偏光顯微鏡下呈氣泡狀而得名，具有高密度存儲潛力。
疇壁 (Domain Wall)
磁疇之間的過渡區域，是磁矩方向發生連續旋轉的界面。在磁泡中，疇壁分離了泡内與泡外的磁化區域（Bloch壁或Néel壁）。
遷移率 (Mobility)
物理學術語，此處特指疇壁運動速度 ( v ) 與外加驅動場 ( H ) 的線性比例系數 (mu)，滿足關系式：

$$

v = mu cdot H

$$

單位為 m/(s·A/m)，表征疇壁對磁場的響應效率。

二、完整定義

磁泡疇壁遷移率指單位磁場強度驅動下磁泡疇壁的穩态運動速度，反映疇壁克服材料阻尼而移動的難易程度。其值由材料微觀結構（如缺陷密度、晶格各向異性）和溫度共同決定。

三、物理意義與影響因素

遷移率直接關聯磁泡器件的操作性能：

高遷移率：疇壁快速響應，提升存儲器件讀寫速度
低遷移率：疇壁易被釘紮，導緻運動滞後或能耗增加
關鍵影響因素包括：

材料阻尼常數（Gilbert阻尼參數）
疇壁結構類型（Bloch壁通常比Néel壁遷移率高）
晶格缺陷（雜質、位錯會顯著降低遷移率）

四、應用關聯

在磁泡存儲器（1970-80年代）和現代自旋電子器件中，疇壁遷移率是設計高速低功耗器件的核心參數。例如，钇鐵石榴石（YIG）單晶因遷移率高達 ( 10 , text{m/(s·A/m)} ) 曾被廣泛研究。

參考文獻

A. P. Malozemoff, Magnetic Bubble Technology (Springer, 1981)
A. Hubert & R. Schäfer, Magnetic Domains (Springer, 1998), Ch. 3
S. Chikazumi, Physics of Ferromagnetism (Oxford UP, 1997), §18.4
IEEE Trans. Magn.15(6), 1634 (1979)
J. Appl. Phys.52(3), 1774 (1981)

網絡擴展解釋

磁泡疇壁遷移率是描述磁泡材料中疇壁運動特性的重要參數，具體解釋如下：

1. 基本定義

磁泡疇壁遷移率指在垂直薄膜平面的外磁場作用下，磁泡疇壁移動速度與外加磁場梯度（或場強變化）的比值。其物理意義類似于半導體中載流子遷移率，但研究對象變為磁性材料中的疇壁運動。

2. 物理意義

• 遷移率由疇壁運動的起始速度确定，反映了疇壁響應磁場變化的靈敏程度； • 高遷移率意味着疇壁能在較小磁場驅動下快速移動，這對磁泡存儲器件性能至關重要。

3. 影響因素

材料需滿足以下特性以提高疇壁遷移率：

單軸磁各向異性：易磁化軸需嚴格垂直于薄膜平面，确保磁泡穩定存在；
低疇壁矯頑力：減少疇壁運動的能量壁壘；
高化學穩定性：避免材料因環境變化導緻性能退化。

4. 應用價值

典型磁泡材料包括石榴石型鐵氧體和非晶态材料，其高疇壁遷移率特性被用于早期磁泡存儲器，通過磁場控制磁泡的生成、移動和檢測實現數據存儲。

擴展說明：該參數英文為"domain wall mobility of magnetic bubble"，常用于磁性材料動力學研究。