磁泡畴壁迁移率英文解释翻译、磁泡畴壁迁移率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 domainwall mobility of magnetic bubble

分词翻译：

磁泡的英语翻译：

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

畴壁的英语翻译：

【计】 domain wall

迁移率的英语翻译：

【化】 mobility; mobility ratio

专业解析

磁泡畴壁迁移率（Magnetic Bubble Domain Wall Mobility）是磁性材料物理学中的重要概念，用于描述磁泡畴壁在外加驱动场作用下的运动特性。以下从术语构成角度进行详细解释：

一、术语分解与汉英对照

磁泡 (Magnetic Bubble)
指磁性薄膜中形成的圆柱形磁畴，其磁化方向与周围区域相反。该结构因其在偏光显微镜下呈气泡状而得名，具有高密度存储潜力。
畴壁 (Domain Wall)
磁畴之间的过渡区域，是磁矩方向发生连续旋转的界面。在磁泡中，畴壁分离了泡内与泡外的磁化区域（Bloch壁或Néel壁）。
迁移率 (Mobility)
物理学术语，此处特指畴壁运动速度 ( v ) 与外加驱动场 ( H ) 的线性比例系数 (mu)，满足关系式：

$$

v = mu cdot H

$$

单位为 m/(s·A/m)，表征畴壁对磁场的响应效率。

二、完整定义

磁泡畴壁迁移率指单位磁场强度驱动下磁泡畴壁的稳态运动速度，反映畴壁克服材料阻尼而移动的难易程度。其值由材料微观结构（如缺陷密度、晶格各向异性）和温度共同决定。

三、物理意义与影响因素

迁移率直接关联磁泡器件的操作性能：

高迁移率：畴壁快速响应，提升存储器件读写速度
低迁移率：畴壁易被钉扎，导致运动滞后或能耗增加
关键影响因素包括：

材料阻尼常数（Gilbert阻尼参数）
畴壁结构类型（Bloch壁通常比Néel壁迁移率高）
晶格缺陷（杂质、位错会显著降低迁移率）

四、应用关联

在磁泡存储器（1970-80年代）和现代自旋电子器件中，畴壁迁移率是设计高速低功耗器件的核心参数。例如，钇铁石榴石（YIG）单晶因迁移率高达 ( 10 , text{m/(s·A/m)} ) 曾被广泛研究。

参考文献

A. P. Malozemoff, Magnetic Bubble Technology (Springer, 1981)
A. Hubert & R. Schäfer, Magnetic Domains (Springer, 1998), Ch. 3
S. Chikazumi, Physics of Ferromagnetism (Oxford UP, 1997), §18.4
IEEE Trans. Magn.15(6), 1634 (1979)
J. Appl. Phys.52(3), 1774 (1981)

网络扩展解释

磁泡畴壁迁移率是描述磁泡材料中畴壁运动特性的重要参数，具体解释如下：

1. 基本定义

磁泡畴壁迁移率指在垂直薄膜平面的外磁场作用下，磁泡畴壁移动速度与外加磁场梯度（或场强变化）的比值。其物理意义类似于半导体中载流子迁移率，但研究对象变为磁性材料中的畴壁运动。

2. 物理意义

• 迁移率由畴壁运动的起始速度确定，反映了畴壁响应磁场变化的灵敏程度； • 高迁移率意味着畴壁能在较小磁场驱动下快速移动，这对磁泡存储器件性能至关重要。

3. 影响因素

材料需满足以下特性以提高畴壁迁移率：

单轴磁各向异性：易磁化轴需严格垂直于薄膜平面，确保磁泡稳定存在；
低畴壁矫顽力：减少畴壁运动的能量壁垒；
高化学稳定性：避免材料因环境变化导致性能退化。

4. 应用价值

典型磁泡材料包括石榴石型铁氧体和非晶态材料，其高畴壁迁移率特性被用于早期磁泡存储器，通过磁场控制磁泡的生成、移动和检测实现数据存储。

扩展说明：该参数英文为"domain wall mobility of magnetic bubble"，常用于磁性材料动力学研究。