次級離子質譜法英文解釋翻譯、次級離子質譜法的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 secondary ion mass spectroscopy(SIMS)

分詞翻譯：

次級的英語翻譯：

【醫】 inferiority

離子的英語翻譯：

ion
【化】 ion
【醫】 ion

質譜法的英語翻譯：

【化】 mass spectrometry

專業解析

次級離子質譜法（Secondary Ion Mass Spectrometry，簡稱SIMS）是一種高靈敏度的表面分析技術，其核心原理是通過高能初級離子束轟擊樣品表面，使樣品原子或分子發生濺射并産生帶電荷的次級離子，隨後利用質譜儀對這些次級離子進行質量-電荷比（m/z）分析。該方法可實現對材料表面化學成分的定性和定量檢測，檢測限可達ppm甚至ppb級别，深度分辨率約為1-10納米。

從技術流程看，SIMS包含三個關鍵階段：（1）初級離子源（如O₂⁺、Cs⁺或Ga⁺）加速聚焦後撞擊樣品；（2）濺射出的次級離子經電場提取；（3）通過磁場或飛行時間分析器分離離子，最終由探測器記錄質量譜圖。該技術具備獨特的優勢，例如可進行微區成像分析（空間分辨率達50納米）、深度剖面分析以及同位素比例測定，因此在半導體缺陷檢測、地質年代學研究和生物組織微量元素分布分析等領域廣泛應用。

參考來源：

國際表面分析協會（https://www.iuva.org/）
美國國家标準與技術研究院（https://www.nist.gov/）
《分析化學》期刊（https://pubs.acs.org/journal/ancham）
國際半導體技術路線圖（https://www.semiconductors.org/）
地球化學學會（https://www.geochemsoc.org/）

網絡擴展解釋

次級離子質譜法（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）是一種表面分析技術，主要通過離子轟擊樣品表面并檢測濺射出的次級離子，以确定材料表面的元素、同位素或化合物組成。以下是其核心概念的詳細解釋：

原理與過程

離子轟擊：使用高能原離子束（如Ar⁺、O₂⁺、Cs⁺等）轟擊固體樣品表面，導緻表面原子或分子濺射。
次級離子生成：濺射出的粒子部分被電離，形成帶正/負電荷的次級離子。
質量分析：通過質量分析器（如磁扇區、四極杆或飛行時間分析器）按質荷比（m/z）分離次級離子。
檢測與記錄：檢測器測量不同質荷比離子的強度，生成質譜圖以表征表面成分。

分類與工作模式

靜态SIMS（SSIMS）：
- 使用低能量（<5 keV）、低束流密度的原離子束（約1×10⁻⁹ A/cm²）。
- 表面損傷小，適合分析單層或亞單層成分（信息深度約1-2 nm）。
- 常用于有機物、高分子材料的表面表征。
動态SIMS（DSIMS）：
- 采用高能量、高束流密度的離子束（mA/cm²量級）。
- 濺射速度快，分析深度可達微米級，但會顯著破壞表面。
- 適用于深度剖析（如半導體材料的元素分布分析）。

技術特點

高靈敏度：可檢測ppm至ppb級别的痕量元素。
全元素覆蓋：從氫（H）到鈾（U）的所有元素及同位素均可分析。
表面特異性：分析深度僅數納米至微米，適合表層成分研究。
成像能力：通過掃描離子束或檢測器成像，實現微區成分分布的可視化（空間分辨率可達納米級）。

應用領域

材料科學：分析金屬、陶瓷等材料的表面污染或塗層成分。
半導體工業：檢測芯片中摻雜元素的分布及界面缺陷。
地質與考古：同位素定年（如鈾-鉛測年）及隕石成分分析。
生物醫學：研究細胞膜成分或藥物在組織中的分布。

公式補充：濺射産額

濺射産額（Sputtering Yield）表示每個入射離子濺射出的平均原子數，計算公式為： $$ Y = frac{text{濺射原子數}}{text{入射離子數}} $$ 其值受離子能量、質量及靶材性質影響，通常為0.1-10原子/離子。

如需更完整的儀器分類或應用案例，可參考（靜态/動态模式）和（濺射産額公式）的原始文獻。